ADRF5519双通道，2.3GHz至2.8GHz，20W接收器前端技术手册

概述

ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块，专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益（频率为2.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在传输操作中，RF输入连接到终端引脚（ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB）。该开关提供0.5 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB峰值/平均值比 (PAR)）。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。
数据表：*附件：ADRF5519双通道，2.3GHz至2.8GHz，20W接收器前端技术手册.pdf

应用

• 无线基础设施
• TDD大规模多路输入和多路输出以及有源天线系统
• 基于TDD的通信系统
  特性
• • 集成式双通道 RF 前端
  • 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
  • 片内偏置和匹配
  • 单电源供电
• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm
• 增益
• 高增益模式：2.6 GHz 时为 35 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 时为 14 dB（典型值）
• 低噪声指数
• 高增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
• 高隔离
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
• 低插入损耗：2.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 关断模式和低增益模式
• 低电源电流
• 高增益模式：5 V 时为 110 mA（典型值）
• 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
• 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
• 正逻辑控制
• 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
• 引脚与 [ADRF5545A]和 [ADRF5549]10 W 版本兼容

框图

引脚配置

ADRF5519可用于1.9 GHz的应用，调谐范围为1.7 GHz至2.1 GHz，额定功率比表1降低3 dB。表9显示了ADRF5519-EVAi 7在1.9 GHz下的典型特性。
表8列出了所需的匹配元件。默认情况下，ADRF5519-EVALZ组装发货时没有任何匹配元件。ADRF5519-EVALZ可以利用一个串联RF走线和一个并联电容针对1.9 GHz应用进行调谐，如表8所示。

接收模式和发射模式下的仿真调谐性能如图27和图28所示。