ADRF5160 0.7 GHz至4.0 GHz高功率88W峰值硅SPDT反射开关技术手册

概述

ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无引线的表面安装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，例如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率处理能力（长期（>10 年）典型平均值 8 dB PAR LTE）、0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz 的低插入损耗、70 dBm 的输入 3 阶交调点 (IP3)（典型值）和 47 dBm 的 0.1 dB 压缩点 (P0.1dB)。片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5160 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。
数据表：*附件：ADRF5160 0.7 GHz至4.0 GHz高功率88W峰值硅SPDT反射开关技术手册.pdf

应用

• 无线基础设施
• 军事和高可靠性应用
• 测试设备
• Pin 二极管替代方案
  特性
• 反射式 50 Ω 设计
• 低插入损耗：0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz
• TCASE= 105°C 下具有高功率处理能力
  • 长期（>10 年）平均值
    • 连续波功率：43 dBm
    • 峰值功率：49 dBm
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
  • 单一事件（<10 秒）平均值
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：44 dBm
• 高线性度
  • P0.1dB：47 dBm（典型值）
  • IP3：70 dBm（典型值）
• ESD 额定值
  • HBM：4 kV（3A 级）
  • CDM：1.25 kV
• 单一正电源：5 V
• 正控制，CMOS/TTL 兼容
• 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5160-EVALz可以承受器件工作的高功率水平和温度。ADRF5160-EVALZ评估板由八层金属层和层间电介质构成，如图13所示。每个金属层具有1盎司(1.3密耳)的铜厚度，并且外层被电镀到2盎司。顶部介电材料为10密耳Rogers RO4350，具有较低的导热系数，可控制电路板的温升。其他金属层之间的电介质为FR4。整个板的厚度为62密耳。

顶部铜层具有所有RF和dc走线。其他七层提供足够的接地，有助于处理ADRF5160-EVALZ的温升。此外，在传输线路周围和封装裸露焊盘下方提供过孔，如图15所示，以实现适当的散热接地。板上的RF传输线路采用共面波导设计，宽度为18密耳，接地间距为13密耳。
为确保最大散热并降低电路板上的温升，一些应用考虑因素至关重要。评估板必须连接到板底部的铜支撑板上。ADRF5160-EVALZ附带此支撑板附件。在所有高功率操作期间，使用散热膏将该评估板及其支撑板连接到散热器上。图14显示了板温度。RF功率输入在上述条件和注意事项下进行测试(评估板和支撑板连接到散热器)。在高达48 dBm的RF功率输入下，温升小于8 ℃,在高功率水平下工作时可提供所需的散热。