HMC435A SPDT非反射式开关技术手册

概述

HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
数据表：*附件：HMC435A SPDT非反射式开关技术手册.pdf

应用

• 基站和中继器
• 蜂窝/3G和WiMAX/4G
• 基础设施和接入点
• CATV/CMTS
• 测试仪器仪表

特性

• 高隔离度：
  62 dB（1 GHz时）
  52 dB（2 GHz时）
• 正控制： 0/+5V
• 输入IP3： 54 dBm
• 非反射式设计
• 超小型MSOP-86封装：
• 14.8 mm2
  绝对最大额定值
  

逻辑图

外形图