HMC232A GaAs，SPDT开关，非反射式，100MHz至12GHz技术手册

概述
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。

HMC232A的工作频率范围为100 MHz至12 GHz，在6 GHz时提供优于1.5 dB的插入损耗和50 dB隔离性能并在12 GHz时提供优于2.5 dB的插入损耗和45 dB隔离性能。HMC232A采用非反射设计，且RF端口内部端接到50 Ω。

HMC232A开关采用−7 V至−3 V的互补负控制电压逻辑线路工作，无需偏置电源。

HMC232A采用24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。
数据表：*附件：HMC232A GaAs，SPDT开关，非反射式，100MHz至12GHz技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 电信基础设施

特性

• 反射式50 Ω设计
• 低插入损耗
  • 1.5 dB（典型值）至6 GHz
  • 2.5 dB（典型值）至12 GHz
• 高隔离度
  • 50 dB（典型值）至6 GHz
  • 45 dB（典型值）至12 GHz
• 高输入线性度
  • P0.1dB：28 dBm（典型值，VCTRL = −5 V）
  • P1dB：30 dBm（典型值，VCTRL = −5 V）
  • IP3：48 dBm
• 高功率处理
  • 30 dBm（插入损耗路径）
  • 27 dBm（热切换）
• 负控制电压：-7 V至-3 V
• ESD额定值：250 V（1A级）HBM
• 无低频杂散
• 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装

框图

引脚配置

接口示意图

HMC232A是一款4层板。外部铜(Cu)层镀有0.7密耳厚，并由电介质材料隔开。图19显示了HMC232A板的层叠。

所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上，内层和底层是接地层，为RF传输线路提供固体接地。顶部介电材料(H)为10密耳Rogers RO4350，具有最佳RF性能。中间和底部介电层提供机械强度。电路板总厚度约为62密耳，允许超小型A型(SMA)连接器在电路板边缘连接。
RF传输线路采用共面波导(CPWG)模型设计，宽度为16密耳，接地间距(G)为13密耳，特性阻抗为50欧姆。为了实现最佳RF和热接地，应在传输线路周围和封装裸露焊盘下方布置尽可能多的电镀通孔。图20显示了组装后的EV1HMC232ALP4的俯视图，ADI公司可应要求提供该器件(参见订购指南)。