HMC986A 0.1GHz至50GHz GaAs MMIC反射式SPDT开关技术手册

概述
HMC986A是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关在0.1 GHz至50 GHz宽带频率范围内通常提供2.3 dB的低插入损耗和30 dB的高隔离度。

该开关在−5 V至−3 V范围内采用两个负逻辑控制电压工作。这些电气性能数据均通过HMC986A的RFx焊盘获取，这些焊盘通过最小长度为3.0 mil × 0.5 mil的焊线和50 Ω传输线路连接。
数据表：*附件：HMC986A 0.1GHz至50GHz GaAs MMIC反射式SPDT开关技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 宽带电信系统
  特性
• 宽带频率范围：0.1 GHz至50 GHz
• 反射式50 Ω设计
• 低插入损耗：2.3 dB (50 GHz)
• 高隔离度：30 dB (50 GHz)
• 高输入线性度
  • 1 dB功率压缩(P1dB)：28 dBm（典型值）
  • 三阶交调点(IP3)：40 dBm（典型值）
• 高功率处理
  • 27 dBm（通过路径）
• 13焊盘、0.98 mm × 0.75 mm × 0.1 mm、芯片封装

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

HMC986A背面金属化，必须用金锡(AuSn)共晶预制件或导电环氧树脂直接附着到接地层。芯片厚度为0.102毫米(4密耳)。推荐使用0.127 mm (5 mil)厚氧化铝薄膜基板上的50 欧姆微带传输线，用于将RF引入和引出HMC986A(见图22)。
当使用0.254毫米(10密耳)厚的氧化铝薄膜基板时，HMC986A必须升高0.150毫米(6密耳)，以便HMC986A的表面与基板表面共面，这可以通过将0.102毫米(4密耳)厚的芯片连接到0.15毫米(6密耳)厚的钼散热器(钼片)来实现。然后将钼片连接到接地层(见图23)。