HMC574A GaAs MMIC 5 W T/R开关DC至3GHz技术手册

概述

HMC574AMS8E是一款低成本SPDT开关，采用8引脚MSOP封装，适合于高射入功率电平下需要极低失真性能的发射/接收应用。该器件可控制DC至3 GHz信号，尤其适合蜂窝/3G基础设施、WiMAX和WiBro应用，典型插入损耗仅为0.3 dB。该设计在+8 V偏置时提供5 W处理性能和+63 dBm三阶交调截点。“关断”状态下，RF1和RF2反射短路。
数据表：*附件：HMC574A GaAs MMIC 5 W T R开关DC至3GHz技术手册.pdf

应用

• 蜂窝/3G基础设施
• 专用移动无线手机
• WLAN, WiMAX和 WiBro
• 汽车远程信息系统
• 测试设备
  特性
• 低插入损耗： 0.3 dB
• 高三阶交调截点：+63 dBm
• 隔离： 30 dB
• 单正电源： +3至+8V
• SMT封装： MSOP8

备注:
1。设置逻辑门和开关Vdd = +3V至+5V，并使用HCT系列逻辑来提供TTL驱动器接口。
2 .控制输入A/B可以直接用CMOS逻辑(HC)驱动，将+3至+8伏的Vdd施加于CMOS逻辑门和RF开关的引脚4。
3 .如图所示，每个RF端口都需要DC隔直电容。电容值决定最低工作频率。

4 . Vdd设置为+8V时可实现最高RF信号功率。该开关将在低至+3V的偏置电压下正常工作(但是在较低的RF功率能力下)。

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