HMC8038高隔离度、硅SPDT、非反射开关，0.1GHz至6.0 GHz技术手册

概述

HMC8038是一款高隔离度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、单刀双掷(SPDT)开关芯片，采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用，可实现高达4.0 GHz的62 dB隔离、高达4.0 GHz的0.8 dB低插入损耗和60 dBm输入三阶交调截点。 拥有高达6.0 GHz的出色功率处理能力，并提供针对35 dBm的0.1 dB压缩点(P0.1dB)的输入功率(VDD = 5 V)。 片内电路在极低直流下采用3.3 V至5 V的单正电源电压，以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的单正电压控制。 使能输入(EN)设为逻辑高电平将该开关置于全部关断状态，其中RFC为反射式。

HMC8038的所有器件引脚均提供ESD保护，包括RF接口，并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038分别提供150 ns和170 ns的快速开关和RF建立时间性能。 该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。
数据表：*附件：HMC8038高隔离度、硅SPDT、非反射开关，0.1GHz至6.0 GHz技术手册.pdf

应用

• 蜂窝/4G基础设施
• 无线基础设施
• 汽车远程信息系统
• 移动无线电
• 测试设备
  特性
• 非反射式50 Ω设计
• 高隔离度： 60 dB（典型值）
• 低插入损耗： 0.8 dB（典型值）
• 高功率处理
  34 dBm（通过路径）
  29 dBm（端接路径）
• 高线性度
  0.1 dB压缩(P0.1dB)： 35 dBm（典型值）
  输入三阶交调截点(IP3)： 60 dBm（典型值）
• ESD额定值
  4 kV人体模型(HBM)，3A类
  1.25 kV充电器模型(CDM)
• 单正电源
  3.3 V至5 V
  1.8 V兼容控制
• 欲了解更多特性，请参考数据手册

框图

引脚配置

接口示意图

利用适当的RF电路设计技术，生成图17所示应用中使用的评估PCB。RF端口的信号线必须具有50欧姆的阻抗，封装接地引脚和背面接地片必须直接连接到接地层，如图18所示。

轮廓尺寸