HMC344A 0.1GHz至8 GHz、GaAs、非反射式SP4T开关技术手册

概述

HMC344ALP3E是一款宽带、非反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。该开关具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。

该开关采用−5 V至−3 V负电源电压(VEE)工作，需要两个负逻辑控制电压。

HMC344ALP3E内置片内二进制2:4线路解码器，通过两条逻辑输入线路提供逻辑控制。

HMC344ALP3E采用3 mm × 3 mm、16引脚LFCSP封装，工作频率范围为0.1 GHz至8 GHz。

数据表：*附件：HMC344A 0.1GHz至8 GHz、GaAs、非反射式SP4T开关技术手册.pdf
应用

• 宽带电信系统
• 光纤产品
• 开关滤波器组
• 低于8 GHz的无线基础设施

特性

• 宽带频率范围：0.1 GHz至8 GHz
• 非反射式50 Ω设计
• 低插入损耗：1.7 dB（6 GHz时)
• 高隔离度：36 dB（6 GHz时）
• 高输入线性度：250 MHz至8 GHz
  • P1dB：28 dBm（典型值）
  • IP3：44 dBm（典型值）
• 集成式2:4线路解码器
• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装
• ESD HBM额定值：250 V（1A级）

HMC344A支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

• 下载HMC344ATCPZ-EP数据手册
• 军用温度范围（−55℃至+125℃）
• 受控制造基线
• 唯一封装/测试厂
• 产品变更通知
• 认证数据可应要求提供

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

EV1HMC344ALP3是一款4层评估板。每个铜层为0.5盎司(0.7密耳)，由介电材料隔开。图14显示了该评估板的层叠结构。

图15是推荐用于负电压控制开关的晶体管至晶体管电平(TTL)兼容控制的外部接口电路。

图16显示了EV1HMC344ALP3评估板的布局和元件布局。电源端口连接到虚拟机测试点J8。控制电压CTLA和TLB连接到A和B测试点J9和J10。接地参考连接到GND测试点J11。然后，IC引脚连接到PCB地，以最大化隔离。在电源走线VE上使用一个1 nF旁路电容来过滤高频噪声。