数据手册#TPS737-Q1系列 汽车级 1A 超低压差稳压器,具有反向电流保护和使能功能

描述

TPS737xx-Q1 系列线性低压差 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 传输元件。这种拓扑对输出电容值和 ESR 相对不敏感,允许各种负载配置。负载瞬态响应非常出色,即使使用小型 1μF 陶瓷输出电容器也是如此。NMOS 拓扑还允许非常低的压差。
*附件:TPS737-Q1 具有反向电流保护功能的 1A 低压差稳压器数据表.pdf

TPS737xx-Q1 系列采用先进的 BiCMOS 工艺,可在提供极低压差电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未启用时,电流消耗低于 20 nA,非常适合便携式应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

特性

  • 适用于汽车应用
  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类 2 级
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4A
  • 使用 1μF 或更大的陶瓷输出电容器时保持稳定
  • 输入电压范围:2.2 V 至 5.5 V
  • 超低压差电压:1 A 时为 130 mV(典型值)
  • 出色的负载瞬态响应,即使仅使用 1μF 输出电容器也是如此
  • NMOS 拓扑结构提供低反向漏电流
  • 1% 初始精度
  • 线路、负载和温度的总体精度为 3%
  • 关断模式下的静态电流小于 20nA(典型值)
  • 用于故障保护的热关断和电流限制
  • 提供多种输出电压版本

参数

负载瞬态

方框图

负载瞬态

一、产品概述

TPS737-Q1是一款专为汽车应用设计的1A低压差(LDO)稳压器,具有反向电流保护功能。该器件符合AEC-Q100标准,适用于DSPs、FPGAs、ASICs和微处理器的点载调节,以及开关电源的后续调节,同时也适用于便携式和电池供电设备。

二、主要特性

  • 汽车级应用‌:AEC-Q100认证,适用于-40°C至125°C的环境温度范围。
  • 低压差‌:典型值为130mV @ 1A输出,确保高效率。
  • 反向电流保护‌:NMOS拓扑结构提供低反向泄漏电流保护。
  • 高精度‌:初始精度1%,整体精度(线路、负载和温度)3%。
  • 低静态电流‌:在关机模式下,静态电流低于20nA。
  • 快速瞬态响应‌:即使使用1μF输出电容器,也能提供优秀的负载瞬态响应。
  • 热保护和电流限制‌:内置热关断和折叠式电流限制功能,提供故障保护。

三、电气特性

  • 输入电压范围‌:2.2V至5.5V
  • 输出电压范围‌:多种固定输出电压版本和可调输出电压版本
  • 输出电流‌:1A
  • 压差电压‌:130mV(典型值)@ 1A输出
  • 静态电流‌:在关机模式下低于20nA
  • 电源抑制比(PSRR) ‌:100Hz时为58dB,10kHz时为37dB
  • 输出噪声电压‌:10Hz至100kHz带宽内为27×VOUT μV RMS

四、保护功能

  • 热关断‌:当结温升至约160°C时,输出被禁用,允许器件冷却。
  • 电流限制‌:内置电流限制功能,防止输出短路时损坏器件。折叠式电流限制在输出短路条件下进一步降低电流限制。
  • 反向电流保护‌:NMOS通道结构提供固有的反向电流保护,防止电流从输出流向输入。

五、封装与尺寸

  • 采用8引脚VSON封装,尺寸为3.00mm x 3.00mm,适合高密度布局。

六、应用指南

  • 输入和输出电容器‌:虽然稳定性不需要输入电容器,但建议在输入端连接0.1μF至1μF的低ESR电容器,以改善瞬态响应、噪声抑制和纹波抑制。输出端需要至少1μF的电容器以确保稳定性。
  • 布局考虑‌:为了改善PSRR、输出噪声和瞬态响应,建议PCB设计具有单独的VIN和VOUT接地平面,且每个接地平面仅在器件的GND引脚处连接。
  • 散热考虑‌:根据输入电压和负载条件,TPS737-Q1可能会产生显著的热量。因此,在设计时需要考虑适当的散热措施,如使用散热片和增加PCB上的铜面积。
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