HMC349ALP4CE高度隔离的非反射式100MHz至4GHz GaAs SPDT开关技术手册

概述

HMC349ALP4CE 是一款工作频率范围为 100 MHz 至 4 GHz 的砷化镓 (GaAs) 单刀双掷 (SPDT) 开关。

HMC349ALP4CE 具有隔离度高 (62 dB)、插入损耗低 (1.0 dB)、输入 IP3 高 (53 dBm) 和输入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性，因此适用于无线基础设施应用。

HMC349ALP4CE 使用电压为 3 V 至 5 V 的单一正电源工作，并且提供一个与 CMOS/TTL 兼容的控制接口。

HMC349ALP4CE 采用符合 RoHS 指令的 16 引脚 4 mm × 4 mm 引线框芯片尺寸级封装 (LFCSP)。
数据表：*附件：HMC349ALP4CE高度隔离的非反射式100MHz至4GHz GaAs SPDT开关技术手册.pdf

应用

• 无线基础设施
• 移动无线电
• 测试设备
  特性
• 非反射 50 Ω 设计
• 高隔离：2 GHz 时为 62 dB
• 低插入损耗：2 GHz 时为 1.0 dB
• 高输入线性度
  • 1 dB 功率压缩 (P1dB)：34 dBm（典型值）
  • 3 阶交调点 (IP3)：53 dBm（典型值）
• 高功率处理能力
  • 33.5 dBm 直通路径，VDD = 5 V
  • 26.5 dBm 终止路径
• 单一正电源：3 V 至 5 V
• CMOS/TTL 兼容控制
• 全关闭状态控制
• 16 引脚 4 mm × 4 mm LFCSP
• 引脚与 HMC8038 兼容

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

HMC349ALP4CE使用4层评估板。每层铜的厚度为0.5盎司(0.7密耳)。顶部介电材料为10密耳Rogers RO4350，可提供良好的高频性能，中间和底部介电材料为FR-4型材料，以实现62密耳的整体板厚。所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上，内层和底层是接地层，为RF传输线提供坚实的接地。RF传输线路采用共面波导(CPWG)模型设计，宽度为13密耳，接地间距为10密耳，特性阻抗为50ω。为了实现良好的RF和热接地，尽可能多的电镀通孔布置在传输线路周围和封装裸露焊盘下方。
图24显示了populatedEV1HMC349ALP4CE评估板的俯视图。封装接地引脚直接连接到接地层，接地层连接到GND直流引脚(J6和J7)。一个电源端口连接到标有VDD (J5)的直流引脚。一个未安装的旁路电容位置可用于过滤电源走线上的高频噪声。两个控制端口连接到CTRL和EN dc引脚(J4和J8)。射频端口连接到RFC、RF1和RF2连接器(J1、JBOY3乐队和J2 ),它们是PC安装超小型(SMA)射频连接器。此外，100 pF隔直电容(C1、C2和C3)用于射频传输线路。连接未安装射频连接器(J4和J5)的直通传输线也可用于测量和消除PCB的损耗。
图25和表6分别是评估板原理图和材料清单。