GNE1040TB栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT数据手册

GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaNHEMT。该产品属于EcoGaN™系列，该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品更节能和小型化。GNE1040TB的电源效率在1MHz的高频段也高达96.5%以上。另外，该产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型DFN封装，这使得安装工序的操作更容易。采用DFN5060 封装，属于 150V 增强型氮化镓场效应晶体管（GaN FET），具有高栅极电压额定值，DFN 封装使其可靠且易用。

*附件：GNE1040TB栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT数据手册.pdf

特点:

• E-mode
• 使用 DFN 封装，可靠且易于使用
• 高门极电压最大额定值8V
• 非常高的开关频率

主要规格

• 型号 | GNE1040TB
• 封装 | DFN5060
• 包装形态 | Taping
• 包装数量 | 2500
• 最小独立包装数量 | 2500
• RoHS | Yes

绝对最大额定值

电气特性

测量电路和波形