HMC595A GaAs MMIC 3 W T/R开关DC-3 GHz技术手册

描述

概述
HMC595A和HMC595AE均为低成本SPDT开关,采用6引脚SOT26封装,适用于在高入射功率电平下具有极低失真特性的发射/接收应用。 该器件可控制DC至3 GHz信号,尤其适合蜂窝/3G基础设施、WiMAX和WiBro应用,典型插入损耗仅为0.3 dB。 该设计在+8 V偏置下提供3 W的功率处理能力和+63 dBm的三阶交调截点。 “关断”状态下,RF1和RF2反射短路。 控制输入A和B兼容CMOS和一些TTL逻辑系列。 这些产品在形式、装配和功能方面可替代HMC595和HMC595E,同时提供出色的电气性能。
数据表:*附件:HMC595A GaAs MMIC 3 W T R开关DC-3 GHz技术手册.pdf

应用

HMC595A / 595AE适用于:

  • 蜂窝/3G基础设施
  • 专用移动无线手机
  • WLAN、WiMAX和WiBro
  • 汽车远程信息系统
  • 测试设备

特性

  • 低插入损耗: 0.3 dB
  • 高输入IP3: +63 dBm
  • 隔离: 30 dB
  • 正控制电压: 0/+3V至0/+10V
  • 小型封装: SOT26

框图
SPDT

外形图
SPDT

典型应用电路
SPDT

备注:1。设置逻辑门并将Vdd = +3V切换至+5V,并使用HCTseries逻辑来提供TTL驱动器接口。
2 .可以通过CMOS逻辑(HC)直接驱动控制输入A/B,将+3至+8v的Vdd施加于CMOS逻辑门。
3 .如图所示,每个RF端口都需要DC隔直电容。电容值决定最低工作频率。
4 . V设置为+10V时可实现最高RF信号功率。该开关将在低至+3V的偏置电压下正常工作(但是在较低的RF功率能力下)。

评估电路板
SPDT

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