GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 数据手册

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸；内置ESD保护功能，有助于实现高可靠性的设计。另外，通过采用通用性高的DFN封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。该产品是ROHM与Delta Electronics， Inc.的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.联合开发而成的，在650V GaNHEMT的器件性能指数方面，达到了业界超高水平。 另外，产品还内置ESD保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。

*附件：GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 数据手册.pdf

特性

• 650V 增强型氮化镓场效应晶体管（E-mode GaN FET）
• 150mΩ 电阻
• 2.7nC 栅极电荷

主要规格

• 型号 | GNP1150TCA-ZE2
• 封装 | DFN8080AK
• 包装形态 | Taping
• 包装数量 | 3500
• 最小独立包装数量 | 3500
• RoHS | Yes

绝对最大额定值

电气特性

测量电路和波形