GNE1008TB 150V GaN HEMT 封装DFN5060 数据手册

描述

GNE1008TB 是一款具有 8V 栅极电压的 150V GaNHEMT,属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品的低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸;即使在1MHz的高频段,电源效率也可达到96.5%以上。另外,通过采用通用性高的DFN封装,不仅散热性能出色,还非常易于安装。

*附件:GNE1008TB 150V GaN HEMT 封装DFN5060 数据手册.pdf

特点

  • E-mode
  • 使用 DFN 封装,可靠且易于使用
  • 高门极电压最大额定值 8V
  • 非常高的开关频率

主要规格

  • 型号 | GNE1008TB
  • 封装 | DFN5060
  • 包装形态 | Taping
  • 包装数量 | 2500
  • 最小独立包装数量 | 2500
  • RoHS | Yes

绝对最大额定值

HEMT

电气特性

HEMT

反向传导电气特性

HEMT

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