BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

该产品是工业设备市场的一流产品。这是在这些应用中使用的最佳产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到ROHM的原始封装中，与传统的分立解决方案相比，由PCB和引线键合引起的寄生电感显著降低。因此，可以实现高达150V/ns的高开关压摆率。另一方面，可调栅极驱动强度有助于降低EMI，各种保护和其它附加功能可优化成本和PCB尺寸。该IC旨在适应现有的主要控制器，因此它也可以用来取代传统的分立功率开关，如超级结MOSFET。

*附件：BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册.pdf

主要规格

型号| BM3G115MUV-LBE2

封装| VQFN046V8080

包装形态| 磁带录音

包装数量| 1000

最小独立包装数量| 1000

特点：

• Nano Cap集成5 V LDO
• VDD引脚电压的宽工作范围
• IN引脚电压的宽工作范围
• 低VDD静态和工作电流
• 低传播延迟
• 高dv/dt免疫
• 可调栅极驱动强度
• 电源良好信号输出
• VDD UVLO保护
• 热关断保护

应用

• 工业设备
• 对功率密度和效率有高要求的电源，或采用桥拓扑结构的电源，如图腾柱式功率因数校正（PFC）、LLC 电源、适配器等

典型应用电路

引脚配置

引脚描述