BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

本产品是面向工业设备市场的优质产品，是这些应用场景的理想之选。BM3G107MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将 650V 增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）和硅驱动器集成到罗姆的原创封装中，与传统的分立解决方案相比，由印刷电路板（PCB）和引线键合引起的寄生电感显著降低。因此，其能够实现高达150V/ns 的高开关转换速率。另一方面，可调节的栅极驱动强度有助于降低电磁干扰（EMI），各种保护功能和其他附加功能优化了成本和 PCB尺寸。该集成电路旨在适配现有的主流控制器，因此它还可用于替代传统的分立功率开关，如超级结金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

*附件：BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册.pdf

主要规格

型号 | BM3G107MUV-LBE2

封装 | VQFN046V8080

包装形态 | Taping

包装数量 | 1000

最小独立包装数量 | 1000

RoHS | Yes

特性

• Nano Cap™集成 5V 低压差线性稳压器（LDO）
• VDD 引脚电压宽工作范围
• IN 引脚电压宽工作范围
• 低 VDD 静态和工作电流
• 低传播延迟
• 高抗 dv/dt 能力
• 可调节栅极驱动强度
• 电源正常信号输出
• VDD 欠压锁定（UVLO）保护
• 热关断保护

应用

• 工业设备
• 对功率密度和效率有高要求的电源，或采用桥拓扑结构的电源，如图腾柱式功率因数校正（PFC）、LLC 电源、适配器等

典型应用电路

引脚配置

引脚描述