BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

本产品是面向工业设备市场的优质产品，是适用于这些应用场景的最佳产品。BM3G005MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最优解决方案。通过将 650 伏增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）和硅驱动器集成到罗姆公司的原创封装中，与传统的分立解决方案相比，由印刷电路板（PCB）和引线键合所导致的寄生电感大幅降低。正因如此，能够实现高达 150 伏 /纳秒的高开关转换速率。另一方面，可调节的栅极驱动强度有助于降低电磁干扰（EMI），并且各种保护功能以及其他附加功能实现了成本和印刷电路板尺寸的优化。这款集成电路设计为适配现有的主流控制器，因此它也可用于替代传统的分立功率开关，比如超级结金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

*附件：BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册.pdf

主要规格

型号 | BM3G005MUV-LBE2

封装 | VQFN046V8080

包装形态 | Taping

包装数量 | 1000

最小独立包装数量 | 1000

RoHS | Yes

特性

• Nano Cap™集成 5V 低压差线性稳压器（LDO）
• VDD 引脚电压宽工作范围
• IN 引脚电压宽工作范围
• 低 VDD 静态和工作电流
• 低传播延迟
• 高抗 dv/dt 能力
• 可调节栅极驱动强度
• 电源正常信号输出
• VDD 欠压锁定（UVLO）保护
• 热关断保护

应用

• 工业设备
• 对功率密度和效率有高要求的电源，或采用桥拓扑结构的电源，如图腾柱式功率因数校正（PFC）、LLC 电源、适配器等

典型应用电路

引脚配置

引脚描述