BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册

该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G015MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立解决方案相比，由PCB布线和引线键合引起的寄生电感大大降低，可实现高达150V/ns的开关速度。另外，其栅极驱动强度可调节，这非常有助于降低EMI。该产品还内置各种保护功能和其他附加功能，可优化成本和PCB尺寸。该IC的设计旨在通用于现有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率开关。

*附件：BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册.pdf

主要规格

型号 | BM3G015MUV-LBE2

封装 | VQFN046V8080

包装形态 | Taping

包装数量 | 1000

最小独立包装数量 | 1000

RoHS | Yes

特性

• Nano Cap™集成输出可选的 5V 低压差线性稳压器（LDO）
• 面向工业应用的长期支持产品
• VDD 引脚电压宽工作范围
• IN 引脚电压宽工作范围
• 低 VDD 静态和工作电流
• 低传播延迟
• 高抗 dv/dt 能力
• 可调节栅极驱动强度
• 电源正常信号输出
• VDD 欠压锁定（UVLO）保护
• 热关断保护

应用

• 工业设备
• 对功率密度和效率有高要求的电源，或采用桥拓扑结构的电源，如图腾柱式功率因数校正（PFC）、LLC 电源、适配器等

典型应用电路

引脚配置

引脚描述