ADPA9007-2直流至28GHz，GaAs，pHEMT，2W功率放大器技术手册

概述

ADPA9007-2CHIP 是一款 2 W 射频功率放大器，可工作 从 DC 到 28 GHz。RF 输入和输出内部匹配 和 DC 耦合。ADPA9007-2CHIP 包括一个集成的 温度补偿 RF 功率检测器和集成的 温度传感器。

ADPA9007-2CHIP 放大器提供 13 dB 的增益，输出 1 dB 压缩功率 （OP1dB） 为 32.5 dBm，输出 8 GHz 至 16 GHz 的三阶交调点 （OIP3） 为 43.5 dBm。 该放大器采用 15 V 的典型电源电压 （V DD ） 工作 具有 500 mA 的典型静态漏极电流 （I ~DQ ），即 可调。

ADPA9007-2CHIP 是在砷化镓 （GaAs） 上制造的， 假晶高电子迁移率晶体管 （pHEMT） 工艺 额定工作温度范围为 −55°C 至 +85°C。
数据表：*附件：ADPA9007-2直流至28GHz，GaAs，pHEMT，2W功率放大器技术手册.pdf
特性

• 宽带、内部匹配、射频功率放大器
• 直流耦合输入和输出
• 集成射频功率检测器
• 集成温度传感器
• 增益：13 dB（典型值，8 GHz 至 16 GHz 时）
• OP1dB：8 GHz 至 16 GHz 时为 32.5 dBm（典型值）
• P SAT ：33.5 dBm（典型值，8 GHz 至 16 GHz）
• OIP3：8 GHz 至 16 GHz 时为 43.5 dBm（典型值）

应用

• 电子战
• 雷达
• 测试和测量设备

框图

引脚配置

接口示意图

ADPA9007-2CHIP是一款宽带分布式GaAs、pHEMT、中等功率放大器。简化框图如图83所示。漏极电流由施加于栅极焊盘VGG1的负电压(-1.5 V至0 V)设置。对于500 mA的Ipo，通常需要-0.6 V的栅极偏置电压。漏极偏置电压通过宽带偏置三通或外部偏置网络由RFOUT/VDD焊盘提供。

RF输出信号的一部分被定向耦合到射频二极管，用于检测RF输出功率。当二极管直流偏置时，二极管对RF功率进行整流，并使其可作为VDET焊盘上的DC电压进行测量。为了实现VDET的温度补偿，可以通过VREF焊盘使用一个相同的电路(减去耦合的RF功率)。取VREF - VDET的差值提供一个与RF输出功率成比例的温度补偿信号。