ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，1GHz至22GHz技术手册

概述

ADL8102是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为1 GHz至22 GHz。

在9 GHz至19 GHz范围内，ADL8102提供27 dB典型增益、2.5 dB典型噪声系数，在1 GHz至9 GHz范围内提供25 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)，以及高达15.5 dBm的饱和输出功率(P ~SAT )，采用5 V电源电压时功耗仅为110 mA。ADL8102还具有内部匹配50 Ω的输入和输出。RFIN和RFOUT引脚均内部交流耦合，同时集成了偏置电感，使其非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。
ADL8102采用符合RoHS标准的3 mm × 3 mm、16引脚LFCSP封装。
数据表：*附件：ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，1GHz至22GHz技术手册.pdf

应用

• 电信
• 卫星通信
• 军用雷达
• 气象雷达
• 民用雷达
• 电子战

特性

• 单个正电源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，9 GHz至19 GHz时）
• OP1dB: 13.5 dB（典型值，1 GHz至9 GHz时）
• OIP3: 25 dBm（典型值，1 GHz至9 GHz时）
• 噪声系数：2.5 dB（典型值，9 GHz至19 GHz时）
• 符合RoHS标准的3 mm x 3 mm、16引脚LFCSP封装

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

ADL8102具有交流耦合的单端输入和输出端口，在1 GHz至22 GHz频率范围内，其阻抗通常等于50欧姆。不需要外部匹配元件。要调整lpo，请在RBlIAS和VDD引脚之间连接一个外部电阻。图74显示了简化框图。

图75显示了ADL8102在特定频率范围内的基本连接。不需要外部偏置电感，因此5 V电源可以连接到VDD引脚。建议使用1 uF、100 pF和100 pF电源去耦电容。图75所示的电源去耦电容代表用于表征和验证ADL8102的配置。