ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23GHz至31GHz技术手册

描述

概述

ADL8142是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范围内,ADL8142提供27 dB典型增益、1.6 dB典型噪声系数和29 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3),采用2 V电源电压时功耗仅为25 mA。注意,可通过较大的漏极电流改善OIP3。ADL8142还具有交流耦合的输入和输出,内部匹配至50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电应用。
ADL8142采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。
数据表:*附件:ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23GHz至31GHz技术手册.pdf

应用

  • 卫星通信
  • 电信
  • 民用雷达

特性

  • 低噪声系数:1.6 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 单正电源(自偏置)
  • 高增益:27 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 高OIP3:21.5 dBm(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装

框图
GaAs

引脚配置
GaAs

接口示意图
GaAs

ADL8142是一款GaAs MMIC pHEMT低噪声宽带放大器,集成偏置电感和交流耦合电容。简化原理图如图63所示。要调整漏极偏置电流,请在RBIAS和VDD引脚之间连接一个外部电阻。ADL8142具有交流耦合的单端输入和输出端口,在23 GHz至31 GHz频率范围内,其阻抗标称值等于50欧姆。不需要外部匹配元件。虽然RF输出路径是交流耦合的,但交流耦合电容的RFOUT侧有一条直流接地路径。
GaAs

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