TPS731xx 系列低压差 (LDO) 线性稳压器采用一种新的拓扑结构:采用电压跟随器配置的 NMOS 传输元件。这种拓扑结构使用低 ESR 的输出电容器时非常稳定,甚至允许在没有电容器的情况下工作。它还提供高反向阻塞 (低反向电流) 和接地引脚电流,在所有输出电流值上几乎恒定。
*附件:tps73133-ep 具有反向电流保护功能的无电容 NMOS 150mA 低压差稳压器数据表 .pdf
TPS731xx 采用先进的 BiCMOS 工艺,可在提供低压差电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未启用时,电流消耗低于 1 μA,非常适合便携式应用。低输出噪声 (30 μVRMS带 0.1 μF C 星期日 ) 非常适合为 VCO 供电。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
特性
- 受控基线
- -55°C 至 125°C 的扩展温度性能
- 增强的 Diminishing Manufacturing Source (DMS) 支持
- 增强的产品变更通知
- 资格血统书^(1)^
- 在没有输出电容器或任何值或类型的电容器的情况下保持稳定
- 输入电压范围为 1.7 V 至 5.5 V
- 超低压差电压:30 mV(典型值)
- 出色的负载瞬态响应 — 带或不带任选输出电容器
- 新的 NMOS 拓扑结构提供低反向漏电流
- 低噪声:30 μV
RMS典型值(10 kHz 至 100 kHz) - 0.5% 初始精度
- 线路、负载和温度范围内的总精度为 1%
- 小于 1 μA 最大 I
Q在关机模式下 - 热关断和指定的最小 / 最大电流限制保护
- 提供多种输出电压版本
- 1.2 V 至 5 V 的固定输出
- 1.2 V 至 5.5 V 的可调输出
- 提供自定义输出
- 应用
- 便携式/电池供电设备
- 用于开关电源的后置调节
- 噪声敏感电路,如 VCO
- DSP、FPGA、ASIC 和微处理器的负载点调节
参数

一、产品概述
TPS73133-EP是一款具有反向电流保护功能的无电容NMOS低压差(LDO)稳压器,专为便携式及电池供电设备设计。该器件采用先进的BiCMOS工艺,提供高精度、低噪声、低静态电流和低压差电压等特性,支持高达150mA的输出电流。
二、主要特性
- 无电容设计:无需外部输出电容即可稳定工作,简化了电路设计。
- 反向电流保护:有效防止电流从输出端流向输入端,增强系统安全性。
- 超低压差:在150mA负载下,压差电压仅为30mV,降低了功耗。
- 高精度:输出电压初始精度为±0.5%,整体精度(包括线路、负载和温度变化)为±1%。
- 低噪声:输出噪声电压低至30μV RMS(10kHz至100kHz),适用于噪声敏感的应用。
- 低功耗:在关断模式下,静态电流小于1μA,有助于延长电池寿命。
- 宽输入电压范围:支持1.7V至5.5V的输入电压,增强应用灵活性。
- 宽工作温度范围:支持-55°C至+125°C的工作温度,适用于各种环境。
- 多种输出电压版本:提供固定输出(1.2V至5V,通过EEPROM编程可选)和可调输出(1.2V至5.5V)。
三、电气特性
- 负载调整率:0.0005%/mA(10mA≤IOUT≤150mA),确保输出电压稳定。
- 线路调整率:0.01%/V(VOUT(nom)+0.5V≤VIN≤5.5V),降低输入电压变化对输出电压的影响。
- 输出电流限制:具有内部电流限制功能,防止短路或过流损坏。
- 短路电流:在输出短路情况下,短路电流被限制在200mA以内。
- 启动时间:典型值为600μs(COUT=1μF,CNR=0.01μF)。
- 电源抑制比(PSRR) :在10kHz时,典型值为37dB(COUT=10μF,无CNR)。
四、热特性
- 热保护:内置热保护电路,当结温超过约160°C时自动关断输出,防止过热损坏。当结温降至约140°C时,输出自动恢复。
- 热阻:具体热阻值取决于封装类型和PCB布局,数据表中提供了JEDEC低K和高K板上的热阻参考值。
五、封装与订购信息
TPS73133-EP提供SOT-23封装选项,具体封装和订购信息请参考数据表的包装选项附录部分。
六、应用建议
- 设计考虑:尽管TPS73133-EP无需外部输出电容即可稳定工作,但在某些应用中添加电容可改善负载瞬态响应和噪声性能。
- 布局与布线:为了优化性能,建议将输入和输出电容尽可能靠近TPS73133-EP的引脚放置,并避免长走线和高阻抗路径。
- 散热管理:在高功率应用中,应合理设计散热方案,确保器件结温不超过最大允许值。