ADPA9002 GaAs pHEMT MMIC单一正电源直流至10GHz功率放大器技术手册

概述
ADPA9002 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 功率放大器，工作频率范围为直流至 10 GHz。该放大器可以提供 15 dB 的增益、42 dBm 的 OIP3 和 31.5 dBm 的饱和输出功率 (P SAT )，只需要 12 V 的工作电压和 385 mA 的工作电流。ADPA9002 在正常工作时自偏置，并具有可选偏置控制以进行电源静态电流 (I DQ ) 调整。该放大器适用于军用和航空航天以及测试设备应用。ADPA9002 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，采用符合 RoHS 指令的 5 mm × 5 mm LFCSP 预制腔体封装，与大批量表面贴装技术 (SMT) 组装设备兼容。

请注意，在整个数据手册中，多功能引脚（例如 RFOUT/V DD ）可能使用引脚全称或引脚的单一功能指代，例如 V DD （当仅与该功能相关时）。
数据表：*附件：ADPA9002 GaAs pHEMT MMIC单一正电源直流至10GHz功率放大器技术手册.pdf

应用

• 军用和航空航天
• 测试仪器仪表

特性

• OP1dB：29 dBm（典型值）
• 增益：高达 15 dB（典型值）
• OIP3：高达 43 dBm（典型值）
• 385 mA 时自偏置电压 VDD= 12 V（典型值），VGG1~上提供可选偏压控制以进行 IDQ调整
• 50 Ω 匹配输入/输出
• 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP

框图

引脚配置

接口示意图

ADPA9002是一款GaAs MMIC pHEMT共源共栅分布式功率放大器。DPA9002的共源共栅分布式架构使用一个基本单元，由两个场效应晶体管(FET)堆叠而成，上部FET的源极连接到下部FET的漏极。然后，基本单元被复制几次，RFIN传输线互连下部fet的栅极，RFIN传输线互连上部fet的漏极。

每个单元都采用额外的电路设计技术来优化整体带宽、输出功率和噪声系数。这种架构的主要优点是，在比单个基本单元提供的带宽大得多的带宽范围内保持高输出电平。这种架构的简化示意图如图61所示。