TPS732-Q1 低压差 (LDO) 稳压器采用 san NMOS 拓扑,该拓扑由电压跟随器配置中的 NMOS 传输瞬变组成。这种拓扑结构使用低 ESR 的输出电容器时很稳定,甚至允许在没有电容器的情况下工作。该拓扑结构还提供高反向阻塞 (低反向电流) 和接地引脚电流,在所有输出电流值上几乎恒定。
*附件:TPS732-Q1 汽车级、无电容、NMOS、250mA、具有反向电流保护功能的低压差稳压器 数据表.pdf
TPS732-Q1 采用先进的 BiCMOS 工艺,可在提供低压差和低接地引脚电流的同时产生高精度。未使能时,电流消耗低于 1μA,专为便携式应用而设计。极低的输出噪声 (30μVRMS 和 0.1μF CNR) 专为为 VCO 供电而设计。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
- 温度等级 0:–40°C 至 150°C,TA
- 设备 HBM 分类 2 级
- 器件 CDM 分类等级 C4B
- 设备 MM 分类级别 M2
- 在没有输出电容器或任何值或类型的电容器的情况下保持稳定
- 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
- 超低压差电压:250mA 时为 40mV(典型值)
- 出色的负载瞬态响应 — 带或不带可选输出电容器
- NMOS 拓扑结构提供低反向漏电流
- 低噪声:30μVRMS 典型值 (10kHz 至 100kHz)
- 初始精度:0.5%
- 1% 总精度(线路、负载和温度)
- 关断模式下的最大 IQ 小于 1μA
- 热关断和指定的最小和最大电流限制保护
- 提供多种输出电压版本:
- 1.2V、1.5V、1.6V、1.8V、2.5V、3V、3.3V 和 5V 的固定输出
- 1.2V 至 5.5V 的可调输出
- 提供自定义输出
参数

方框图

1. 产品概述
- 型号:TPS732-Q1
- 应用:汽车级,适用于便携式及电池供电设备、开关电源的后级调节、噪声敏感电路(如VCOs)、DSPs、FPGAs、ASICs及微处理器的负载点调节。
- 特性:
- 无电容设计,稳定工作无需输出电容。
- 输入电压范围:1.7V至5.5V。
- 输出电流:最大250mA。
- 超低压差电压:典型值40mV @ 250mA。
- 低噪声:30μV RMS(10kHz至100kHz)。
- 初始精度:0.5%,整体精度(线路、负载和温度):1%。
- 反向电流保护功能。
- 热关断及电流限制保护。
2. 封装信息
- 封装类型:
- DBV(SOT-23, 5引脚)
- DCQ(SOT-223, 6引脚)
- DRB(VSON, 8引脚)
- 封装尺寸:
- DBV:2.9mm × 2.8mm
- DCQ:6.5mm × 7.06mm
- DRB:3mm × 3mm
3. 引脚配置与功能
- 引脚功能:
- IN:未调节输入电源。
- GND:地。
- EN:使能引脚,高电平开启稳压器,低电平进入关断模式。
- NR/FB(可调版本):噪声抑制/反馈引脚,用于设置输出电压。
- OUT:稳压器输出。
4. 电气特性
- 输出电压范围:固定版本包括1.2V、1.5V、1.6V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、5V;可调版本从1.2V至5.5V。
- 压差电压:典型值40mV @ 250mA,最大值150mV。
- 反向泄漏电流:固定版本最大10μA。
- 关机电流:最大1μA。
- 噪声电压:10Hz至100kHz带宽内,典型值为27μV RMS至8.5μV RMS(取决于输出电压和C_NR电容值)。
5. 热特性
- 热关断温度:约160°C(上升),约140°C(下降)。
- 热阻(示例):
- DBV封装:RθJA = 180°C/W
- DRB封装:RθJA = 47.8°C/W
6. 功能描述
- 内部电流限制:提供过流保护,输出短路时采用折返特性减少电流。
- 关断模式:使能引脚低于0.5V时,稳压器关断,地引脚电流降至约10nA。
- 瞬态响应:无需输出电容即可稳定工作,添加电容可改善负载瞬态响应。
- 反向电流保护:NMOS通路提供固有的反向电流阻断能力。
7. 应用电路
- 典型应用电路:提供固定电压和可调电压版本的典型应用电路图。
- 设计指南:包括输入/输出电容要求、噪声抑制、布局指导等。
8. 文档与支持
- 文档更新通知:可通过TI官网注册接收文档更新通知。
- 支持资源:提供TI E2E™支持论坛链接,获取快速验证的答案和设计帮助。