ADRF5545A双通道2.4 GHz至4.2 GHz接收器前端技术手册

概述
ADRF5545A 是一款双通道集成式射频 (RF) 前端多芯片模块，专为工作频率为 2.4 GHz 至 4.2 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5545A 采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下，级联两级 LNA 和开关提供 1.45 dB 的低噪声指数 (NF) 和 32 dB 的高增益（频率为 3.6 GHz）以及 32 dBm（典型值）的输出 3 阶交调点 (OIP3)。在低增益模式下，两级 LNA 的一级处于旁路状态，在 36 mA 的较低电流下提供 16 dB 的增益。在关断模式下，LNA 将关闭，器件流耗为 12 mA。

在发射过程中，当 RF 输入连接到端电极引脚（TERM-ChA 或 TERM-ChB）时，该开关提供 0.65 dB 的低插入损耗，并在整个生命周期内处理 40 dBm 的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB 峰值/平均值比 (PAR)），而在单一事件（<10 秒）LNA 保护模式下为 43 dBm。

该器件采用符合 RoHS 标准的紧凑型 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装。
数据表：*附件：ADRF5545A双通道2.4 GHz至4.2 GHz接收器前端技术手册.pdf

应用

• 无线基础设施
• TDD 大规模多输入和多输出以及有源天线系统
• 基于 TDD 的通信系统

特性

• 集成式双通道 RF 前端
  • 2 级 LNA 和高功率 SPDT 开关
  • 片内偏置和匹配
  • 单电源供电
• 增益
  • 高增益模式：3.6 GHz 时为 32 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 时为 16 dB（典型值）
• 低噪声指数
  • 高增益模式：3.6 GHz 时为 1.45 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 时为 1.45 dB（典型值）
• 高隔离
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：52 dB（典型值）
• 低插入损耗：3.6 GHz 时为 0.65 dB（典型值）
• T~CASE= 105°C 时具有高功率处理能力
  • 整个生命周期
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：40 dBm
  • 单一事件（<10 秒运行）
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 关断模式和低增益模式（针对 LNA）
• 低电源电流
  • 高增益模式：5 V 时为 86 mA（典型值）
  • 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
  • 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
• 正逻辑控制
• 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

要生成用于典型应用电路的评估PCB(欲了解更多信息，请参考ADRF5545A-EVALZ用户指南)，请使用适当的RF电路设计技术。RF端口的信号线必须具有50ω阻抗，封装接地引线和背面接地片必须直接连接到接地层。在BP-CHx和PD-CHAB数字控制引脚上使用300 Q系列电阻，用于glitchand过流保护。图47所示的评估板可向ADI公司索取。

轮廓尺寸