HMC8411 0.01GHz至10GHz低噪声放大器技术手册

概述

HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。

HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声指数和 34 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要 55 mA 电流，5 V 电源电压。19.5 dBm 的典型饱和输出功率 (P ~SAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。

HMC8411LP2FE 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，使得该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。

HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。

多功能引脚名称只能供其相关功能引用。
数据表：*附件：HMC8411 0.01GHz至10GHz低噪声放大器技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 军事通信

特性

• 低噪声系数：1.7 dB（典型值）
• 单正电源（自偏置）
• 高增益：15.5 dB（典型值）
• 高OIP3：34 dBm（典型值）
• 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP

框图

接口示意图

典型性能特征

HMC8411LP2FE是一款MMIC GaAs pHEMT低噪声宽带放大器。HMC8411LP2FE具有单端输入和输出端口，在0.01 GHz至10GHz频率范围内，阻抗标称值等于50ω。因此，该器件可以直接插入RF输入和输出端带有外部元件的50ω系统，如图71所示，无需窄带匹配解决方案。VDD/RFOUT引脚上需要一个外部偏置电感和隔直电容。RFIN引脚上还需要一个隔直电容。在RF输入端，有一个额外的电阻、电感和电容(RLC)分流网络，确保100 MHz以下的无条件稳定性。

典型应用电路

EV1HMC8411LP2F评估板是一款4层板，采用Rogers 4350和高频RF设计最佳实践制造。RF输入和RF输出走线的特性阻抗为50欧姆。
评估板和组装元件的工作环境温度范围为-40°C至+85°C。有关正确的偏置序列，请参见“应用信息”部分。评估板原理图如图73所示。

轮廓尺寸