HMC637BPM5E GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1W功率放大器技术手册

概述

HMC637BPM5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联分布式功率放大器，在正常工作时可实现自偏置且具有IDQ可选偏置控制和增益调整。该放大器的工作频率范围为DC至6 GHz，提供15 dB小信号增益、27.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩）、40 dBm典型输出IP3和4 dB噪声指数，采用V~DD ~12 V电源电压时功耗为335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范围内的增益平坦度（典型值±0.5 dB时）非常出色，因而极为适合军事、太空和测试设备应用。HMC637BPM5E还具有内部匹配至50 Ω的输入/输出(I/O)，采用符合RoHS标准的5 mm × 5 mm LFCSP预制空腔封装，可与高容量表贴技术(SMT)装配设备兼容。
数据表：*附件：HMC637BPM5E GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1W功率放大器技术手册.pdf

应用

• 军事与太空
• 测试仪器仪表

特性

• P1dB输出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 输出IP3：40 dBm（典型值）
• 在V DD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，V GG1（针对IDQ调整）和V GG2（针对增益控制）具有可选偏置控制
• 50 Ω匹配输入/输出
• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm²

框图

引脚配置和功能描述

接口示意图

HMC637BPM5E是一款GaAs、MMIC、pHEMT、共源共栅分布式功率放大器。HMC637BPM5E的共源共栅分布式架构使用一个基本单元，由两个场效应晶体管(FET)堆叠而成，上FET的源极连接到下FET的漏极。基本单元然后被复制几次，RF传输线互连下部fet的栅极，RFOUT传输线互连上部fet的漏极。

每个单元都采用额外的电路设计技术来优化整体带宽、输出功率和噪声系数。这种架构的主要优势在于，在比单个基本单元提供的带宽大得多的带宽范围内，仍能保持高输出水平。这种架构的简化原理图如图69所示。