概述
ADMV7710 是一款集成式 E 频段砷化镓 (GaAs) 赝晶高电子迁移率转移 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC)、中等功率放大器,具有片内温度补偿功率检测器,工作频率范围为 71 GHz 到 76 GHz。ADMV7710 可通过 4 V 电源提供 24 dB 的增益、28 dBm 的输出(1 dB 压缩)以及 29 dBm 的饱和输出功率(20% 功率附加效率)。ADMV7710 展现了卓越的线性度,并且进行了性能优化,非常适合 E 频段通信和高容量无线回程无线电系统。凭借放大器配置和高增益,该器件成为天线之前的最后一级信号放大的理想选择。所有数据均由每个端口上一根 3 mil 宽 × 0.5 mil 厚 × 7 mil 长的键合带连接的芯片(位于 50 Ω 测试固件内)进行采集。ADMV7710 以 40 焊盘裸片(芯片)的形式提供,可在 −55°C 到 +85°C 的温度范围内工作。
数据表:*附件:ADMV7710具有功率检测器的71GHz到76GHz、1WE频段功率放大器技术手册.pdf
应用
特性
框图
接口示意图
典型性能特征
ADMV7710功率放大器的电路架构如图46所示。ADMV7710利用四个级联增益级构成一个放大器,组合增益为24 dB,饱和输出功率(Psur)为29 dBm。在最后一级的输出端,一个耦合器分出一小部分输出信号。
耦合信号提供给片内二极管检波器,用于输出功率的外部监控。包括匹配的参比二极管,以校正检测器温度依赖性。有关偏置不同模块和使用检波器特性的更多信息,请参见图47所示的应用电路。
ADMV7710的典型应用电路如图47所示。按照应用电路原理图所示组合电源线,以最大限度地减少外部元件数量,并简化电源布线。ADMV7710使用多个放大器、检波器和衰减器级。所有级都使用耗尽型pHEMT晶体管。
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