HMC8410-DIE 0.01GHz至10GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册

描述

概述
HMC8410CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410CHIPS提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3,采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)使低噪声放大器(LNA)可用作ADI公司许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。

HMC8410CHIPS还具有输入/输出(I/O),内部匹配50 Ω,非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。
数据表:*附件:HMC8410-DIE 0.01GHz至10GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册.pdf

应用

  • 软件定义无线电
  • 电子战
  • 雷达应用
    特性
  • 低噪声系数:1.1 dB(典型值)
  • 高增益:19.5 dB(典型值)
  • 高输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值)
  • 裸片尺寸:0.95 mm × 0.61 × 0.102 mm

框图
砷化镓

引脚配置和功能描述
砷化镓

接口示意图
砷化镓

典型性能特征
砷化镓

HMC 8410芯片是GaAs,MMIC,pHEMT,低噪声宽带放大器。HMC 8410芯片具有单端输入和输出端口,在0.01 GHzto至10 GHz频率范围内,其阻抗标称值等于50ω。因此,它可以直接插入50欧姆系统,无需阻抗匹配电路,这也意味着多个HMC 8410芯片放大器可以背靠背级联,无需外部匹配电路。
输入和输出阻抗相对于温度和电源电压的变化足够稳定,因此不需要阻抗匹配补偿。为实现HMC 8410芯片的最佳性能并防止器件损坏,请勿超过绝对最大额定值。
砷化镓
轮廓尺寸
砷化镓

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