HMC7229-DIE集成功率检波器的33GHz至40GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器技术手册

描述

概述

HMC7229CHIPS是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级、砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、1 W功率放大器,工作频率范围为33 GHz至40 GHz。HMC7229CHIPS在33 GHz至40 GHz的整个频段内提供23 dB至24.5 dB的典型增益范围、30 dBm至32 dBm的饱和输出功率(PSAT)范围和12%至22%(典型值)的功率附加效率(PAE)范围(6 V电源)。HMC7229CHIPS在33 GHz至40 GHz的整个频段内具有出色的OIP3范围(37 dBm至39.5 dBm),非常适合线性应用,比如要求32 dBm有效饱和输出功率的高容量点对点或点对多点无线电或甚小孔径终端(VSAT)/卫星通信(SATCOM)应用。射频(RF)输入/输出端口采用内部匹配并经过隔直,以便轻松集成到高级组件中。
数据表:*附件:HMC7229-DIE集成功率检波器的33GHz至40GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器技术手册.pdf

应用

  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • VSAT和SATCOM

特性

  • 32 dBm P~SAT with 22% PAE
  • P1dB P ~OUT:31.5 dBm
  • 高OIP3:39.5 dBm
  • 高增益:24.5 dB
  • 50 Ω匹配输入/输出

框图
GaAs

引脚配置和功能描述
GaAs

接口示意图
GaAs

典型性能特征
GaAs

HMC7229是MMIC GaAs pHEMT公司的1 W功率放大器,由四个串联增益级组成。图34显示了HMC7229的简化功能框图。
HMC7229的输入信号被平均分为两路,每路通过四个独立的增益级放大。放大后的信号在RF输出端合并。RF输出信号的一部分被定向耦合到二极管,用于检测RF输出功率。当二极管直流偏置时,它对RF功率进行整流,并使其可作为Vner处的直流电压进行测量。为了对VDEr进行温度补偿,可以通过VREs提供一个对称放置的相同检波器电路,减去耦合RF功率。如图32所示,取VREF–vdet之差可提供与RF输出功率成比例的温度补偿信号。
HMC7229具有单端输入和输出端口,阻抗在33 GHz至40 GHz的频率范围内标称匹配50欧姆。因此,HMC7229可以直接插入50欧姆系统,无需阻抗匹配电路。
GaAs

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