HMC8401-DIE DC至28GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器技术手册

概述

HMC8401是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC8401是一款宽带低噪声放大器，工作频率范围为DC至28 GHz.该放大器提供14.5 dB增益、1.5 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），同时功耗为60 mA（采用7.5 V电源时）。HMC8401还具有增益控制选项VGG2。HMC8401放大器输入/输出内部匹配50 Ω，可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
数据表：*附件：HMC8401-DIE DC至28GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 军事与航天
• 电信基础设施
• 光纤产品

特性

• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：16.5 dBm（典型值）
• 饱和输出功率(PSAT)：19 dBm（典型值）
• 增益：14.5 dB（典型值）
• 噪声系数：1.5 dB
• 输出三阶交调截点(IP3)：26 dBm（典型值）
• 电源电压：7.5 V (60 mA)
• 50 Ω匹配输入/输出
• 裸片尺寸：2.55 mm × 1.5 mm × 0.05 mm

框图

引脚配置和功能描述

接口示意图

典型性能特征

HMC8401是一款GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器。它的基本架构是共源共栅分布式放大器，漏极集成电阻。共源共栅分布式架构使用由两个场效应晶体管(FET)堆叠而成的基本单元，其中上FET的源极连接到下FET的漏极。然后，用互连下部fet的栅极的RFIN传输线和互连上部fet的漏极的RFOUT传输线将基本单元复制几次。
每个单元都采用额外的电路设计技术来优化整体带宽和噪声系数。这种架构的主要优势在于，在比单个基本单元提供的带宽大得多的带宽范围内，可以保持低噪声系数。这种架构的简化原理图如图42所示。