纳微助力长城电源打造超高功率密度模块电源，掀起AI数据中心“芯”革命

下一代GaNSense™技术为AI数据中心、电信、工业设备提升8倍功率

下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体宣布其搭载GaNSense™技术的GaNFast️™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链，成功助力其打造AI数据中心专用的超高功率密度2.5kW模块电源。

AI的迅猛发展对数据中心提出了更高的算力要求，为了容纳更多的GPUs进行计算，400V独立机柜的架构将成为数据中心的全新发展趋势。小体积、高效率、更独立的模块电源将释放出宝贵的机柜空间，直观提升算力，降低能源损耗，助力达成双碳目标。

这款领跑行业的模块电源，可输入范围为340~420V直流，仅需1/4标准砖大小却能迸发出2.5kW的恒定功率，峰值功率高达3kW，功率密度达到了全球顶尖的92.36W/cm³，比硅基的1/4砖块电源的输出功率高3至5倍。其半载效率高达97.9%，满足日益严格的效率要求，可广泛应用于AI数据中心、电信、工业设备等场景。

得益于集成GaNSense技术的GaNFast NV6169氮化镓功率芯片，长城电源的这款电源实现了超高功率密度的行业突破。该芯片采用行业标准的、轻薄、低电感、8x8mm PQFN封装，跟上一代产品相比，导通电阻降低36%，功率提高50%，非常适用于高效率、高密度的砖块电源系统。

采用GaNSense技术的GaNFast功率芯片具有行业首创的无损电流检测和最快的短路保护，实现“检测到保护”的速度仅为30ns，比分立解决方案快6倍。与竞争对手的解决方案不同，NV6169额定工作电压为650V，额定峰值电压为800V，可在瞬态工况期间稳定工作。

长城电源

DC产品线负责人

Michael Zhang

“氮化镓凭借更快的开关频率和更高的效率，成为了解锁下一代电源的关键因素，我们非常高兴与氮化镓行业佼佼者——纳微半导体联手，成功打造了这款行业领先的超高功率密度和超高效率的模块电源。

我们期待与纳微半导体深度合作，解锁氮化镓在更多领域的应用，以不断提升的电源效率降低能耗，加速推动低碳转型。”

纳微半导体

副总裁兼中国区总经理

查莹杰

“纳微深感荣幸与长城电源合作，成功打造出这款超高功率密度2.5kW模块电源。长城电源在电源领域的深厚底蕴与创新实力，让我们的GaNFast氮化镓功率芯片得以充分发挥优势。

纳微坚信与长城电源的持续合作，将让氮化镓技术在AI数据中心、电信等多领域大放异彩，推动行业向高效、环保的方向发展。”