HMC8400-DIE 2GHz至30GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器技术手册

概述

HMC8400是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。 HMC8400是一款宽带低噪声放大器，工作频率范围为2 GHz至30 GHz. 该放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪声系数、26.5 dBm输出IP3和14.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为67 mA（采用5 V电源时）。 HMC8400仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现67 mA的漏极电流IDD。 HMC8400还具有增益控制选项VGG2。 HMC8400放大器输入/输出内部匹配50 Ω，可方便地集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
数据表：*附件：HMC8400-DIE 2GHz至30GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器技术手册.pdf

应用

• 测试仪器仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT )
• 军事与太空
• 电信基础设施
• 光纤产品

特性

• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率： 14.5 dBm（典型值）
• 饱和输出功率(PSAT)： 17 dBm（典型值）
• 增益： 13.5 dB（典型值）
• 噪声系数： 2 dB
• 输出三阶交调截点(IP3)： 26.5 dBm（典型值）
• 电源电压： 5 V (67 mA)
• 50 Ω匹配输入/输出
• 裸片尺寸： 2.7 mm × 1.35 mm × 0.1 mm

框图

引脚配置和功能描述

接口示意图
典型性能特征

HMC8400是GaAs，pHEMT，MMIC低噪声放大器。基本架构是一个自偏置共源共栅分布式放大器，其漏极集成RF扼流圈。级联分布式架构使用一个基本单元，由两个从源极连接到漏极的场效应晶体管(fet)堆叠而成。然后将基本单元复制几次，用传输线分别连接顶部器件的漏极和底部器件的栅极。

每个单元都采用额外的电路设计技术来优化整体带宽和噪声系数。这种架构的主要优势在于，在比单个基本单元提供的带宽大得多的带宽范围内，可以保持低噪声系数。这种架构的简化原理图如图34所示。