基于TI产品的有刷式直流电机参考设计

德州仪器推出业内最小、最快的GaN驱动器

德州仪器（TI）近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。

凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度，LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片（WCSP）封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗，进一步提升效率。

LMG1020和LMG1210是业界最大的GaN电源产品组合中的最新成员，从200V驱动器到80V和600V功率级。凭借超过1,000万小时的GaN工艺可靠性测试，TI提供可靠的GaN产品以满足对成熟和即用型解决方案的需求，为GaN技术带来数十年的硅制造专业技术和高级器件开发人才。

设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN功率级参考设计，快速开始氮化镓设计。

LMG1020和LMG1210主要特点和优势：

●高速：这两款器件可提供超高速传播延迟（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使电源解决方案比采用硅驱动器快50倍。另外，LMG1020能够提供高功率1ns激光脉冲，实现远程LIDAR应用。

●高效率：这两款器件均可实现高效率设计。 LMG1210提供1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可将效率提高多达5％。

●功率密度：LMG1210中的死区时间控制集成功能可减少元件数量并提高效率，使设计人员能够将电源尺寸降低多达80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有业内最小封装和最高分辨率。

2原厂芯品

泰克加速EMI/EMC一致性测试

2018年3月13日讯 – 全球领先的测量解决方案提供商——泰克科技公司日前推出EMCVu一种用于EMI/EMC预一致性测试和问题调试的新型整体解决方案。在当今电子设计环境中，大约有一半的产品会在首次电磁兼容性（EMC）测试中出现问题。EMCVu为工程师提供了一种准确、方便、经济的方法，评估其产品设计能否第一次就通过EMC一致性测试。

对于刚刚开始使用物联网设备的许多工程师而言，EMI／EMC测试令人困扰，而一致性测试失败会导致严重的成本增加和产品上市时间延迟。预一致性测试可以降低通过一致性测试失败概率，但也有其自身的挑战，比如设备设置困难、成本高、测试准确性存疑，调试难度大，缺少报告编制工具等。

“满足EMC一致性测试首先要求其设计、电路板布局和元件选型合理，但即使在最好的环境中，如果没有预一致性测试，那么想通过一致性测试也是一种冒险。”Wyatt Technical Services首席顾问及EMC一致性测试专家Kenneth Wyatt说，“我强烈支持泰克EMCVu所做的工作，让更多的工程师可以实现预一致性测试，即使是缺乏深入EMC专业知识的工程师也能受益匪浅。

供货情况：

全内置预一致性测试解决方案价格经济，包括RSA306B USB频谱分析仪、SignalVu-PC及EMCVu插件、近场探头、LISN放射辐射测试天线、三脚支架和线缆，大体上和EMC测试机构测试一次的费用相当。

3代理商开售

大联大世平集团推出基于TI产品的有刷式直流电机参考设计

2018年3月13日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于德州仪器（TI）产品的推出有刷式直流电机参考设计，由DRV8701栅极驱动器、MSP430G2553IPW20超低功耗微控制器、CSD18540Q5B 60V N沟道MOSFET和LMT86DCKT精密CMOS温度传感器等器件组成。

DRV8701ERGER是一款采用四个外部N沟道MOSFET的单一H桥栅极驱动器，面向双相逆变器驱动一个双向有刷直流电机。阶段/启用（DRV8701E）控制方案允许简单地连接到单片机电路。一个内部检测放大器允许使用外部检测电阻进行可调节的电流控制。栅极驱动器包括使用固定关断时间PWM来控制绕组电流的能力电流切断。DRV8701采用9.5 V VGS栅极驱动器驱动高端和低端FET来自一个集成的电荷泵。所有外部FET的栅极驱动电流可以是在IDRIVE引脚上配置一个外部电阻。

MSP430G2553IPW20是一款超低功耗微控制器，由许多不同的器件组成特征。其中一些功能包括五种不同的低功耗模式，一个16位RISC CPU、16位寄存器和常量发生器。使用数字控制振荡器（DCO）MSP430G2553可以在低于1μs的时间内从低功耗模式唤醒。

CSD18540Q5B是一款60V N沟道MOSFET，RDS额定值为1.8mΩ。该器件是功率转换应用的理想选择，因为其设计可将损耗降至最低，而SON的尺寸仅为5mm×6mm。

LMT86DCKT是一款精密的CMOS温度传感器，利用与温度线性成反比的模拟输出电压。该器件的工作电压可低至2.2V，电源电流为5.4μA，是电池供电应用的理想器。