LP3856系列 具有使能功能的 3A、7V、超低压差稳压器数据手册

LP3853/LP3856 系列快速、超低压差线性稳压器的工作电压为 +2.5V 到 +7.0V 输入电源。提供广泛的预设输出电压选项。这些超低 压差线性稳压器对负载的阶跃变化响应非常迅速，因此非常适合 用于低电压微处理器应用。LP3853/LP3856 采用 CMOS 工艺开发 它允许独立于输出负载电流的低静态电流运行。此 CMOS 工艺 还允许 LP3853/LP3856 在极低的压差条件下工作。
*附件：LP3853、LP3856 3A 快速响应超低压差线性稳压器 数据表.pdf

压差tage： 超低压差;通常 300mA 负载电流时为 39mV，3A 负载电流时为 390mV。

接地引脚电流： 3A 负载时通常为 4mA 当前。

关机模式： 通常为 10nA 的静态电流，当 SHUTDOWN 引脚被拉低。

错误标志： 当输出电压下降到以下 10% 时，错误标志变为低电平 标称值。

意义： 感应引脚改善了远程调节 负荷。

精密输出电压： 多路输出电压 提供 1.8V 至 5.0V 的选项，确保室内精度为 ±1.5% 温度，在所有条件下（变化的线路、负载和温度）±3.0%。

特性

• 超低压差
• 与选定的陶瓷电容器配合使用时保持稳定
• 低接地引脚电流
• 负载调整率为 0.08%
• 停机模式下的 10nA 静态电流
• 确保输出电流为 3A DC
• 采用 TO-263 和 TO-220 封装
• 输出电压精度 ± 1.5%
• 错误标志指示输出状态
• 感应选项改善负载调整率
• 过热/过流保护
• −40°C 至 +125°C 结温范围

参数

方框图

概述

LP3853/LP3856系列是一款基于CMOS工艺的快速响应超低压差线性稳压器，提供高达3A的输出电流。该系列稳压器具有超低的压差电压、低静态电流、高精度的输出电压以及多种保护功能，适用于微处理器电源、DSP电源、电池充电器等多种应用。

主要特性

• ‌超低压差电压‌：在300mA负载电流下，压差电压典型值为39mV；在3A负载电流下，压差电压典型值为390mV。
• ‌低静态电流‌：在关机模式下，静态电流典型值为10nA。
• ‌高精度输出电压‌：输出电压精度±1.5%（室温下），±3.0%（全条件下）。
• ‌快速响应‌：对负载变化的响应速度非常快，适合低电压微处理器应用。
• ‌多种保护功能‌：包括过温保护、过流保护等。
• ‌远程感测功能‌（LP3856）：通过感测引脚改善远程负载的调节性能。
• ‌宽工作温度范围‌：-40°C至+125°C。

应用

• 微处理器电源供应
• GTL、GTL+、BTL、SSTL总线终端
• DSP电源供应
• SCSI终端
• 高效线性稳压器
• 电池充电器
• 其他电池供电应用

封装与尺寸

• 提供TO-263和TO-220两种封装。

电气特性

• ‌输出电压范围‌：1.8V至5.0V，具有多种预设输出电压选项。
• ‌负载调节‌：0.08%（典型值）
• ‌线性调节‌：0.02%（典型值）
• ‌关机输入阈值‌：0.3V至1.3V（上升），2.0V至1.3V（下降）
• ‌短路保护‌：具有短路保护功能
• ‌错误标志‌：当输出电压下降10%时，错误标志引脚将变为低电平。

外部电容要求

• ‌输入电容‌：至少需要10µF的电容，可以使用陶瓷或钽电容，电容值可以无限增加。
• ‌输出电容‌：对于稳定操作，输出电容必须直接连接到输出和地引脚，且距离器件不超过1cm。最小稳定电容值为10µF，但具体值取决于输入电容和负载电流。

热设计

• 提供了结到环境的热阻（θJA）信息，以及在不同封装和PCB布局下的热性能数据。
• 在高功率耗散应用中，可能需要使用散热片或热沉来保持结温在允许范围内。

订购信息

提供了不同输出电压版本和封装类型的订购信息，包括活性、生命周期购买、不推荐用于新设计以及样品可用性等状态标识。

布局指导

• 强调了良好的PCB布局实践的重要性，以避免因地线回路和电压降引起的不稳定性。
• 推荐将输入和输出电容直接连接到稳压器的输入、输出和地引脚，使用短而宽的铜迹线，并确保稳压器和其电容具有“单点接地”。

噪声与干扰

• 提供了输出噪声电压和噪声密度的规格，以及在不同频率下的典型性能曲线。
• 讨论了减少RFI/EMI干扰的措施，包括使用陶瓷旁路电容、隔离噪声电路和“干净”电路等。

错误标志与远程感测

• LP3853/LP3856系列稳压器具有错误标志引脚，用于指示输出电压是否超出调节范围。
• LP3856还提供远程感测引脚，以改善远程负载的调节性能。

关机操作

• 通过将关机引脚拉低，可以将稳压器置于关机模式，此时静态电流降至非常低的水平。

反向电流路径

• 内部MOSFET具有寄生二极管，当输出被拉高于输入时，允许电流从输出流向输入，但电流应限制在连续200mA和峰值1A以内。