LP2992系列 具有启用功能的 250mA、16V、低压差稳压器数据手册

描述

LP2992 是一款固定输出、宽输入、低噪声、低压差稳压器,支持 2.5V 至 16V 的输入电压范围和高达 250mA 的负载电流。LP2992 支持 1.2V 至 5.0V 的输出范围 (新芯片)。

此外,LP2992(新芯片)在负载和温度下具有 1% 的输出精度,可满足低压微控制器 (MCU) 和处理器的需求。

30μVRMS 的低输出噪声 (采用 10nF 旁路电容器) 和大于 70dB (1kHz) 和 40dB (1MHz) 的宽带宽 PSRR 性能有助于衰减上游 DC/DC 转换器的开关频率,并最大限度地减少后置稳压器滤波。
*附件:LP2992 微功率、250mA、低噪声、超低压差稳压器,采用 SOT-23 和 WSON 封装,设计用于极低 ESR 输出电容器 数据表.pdf

内部软启动时间和电流限制保护可减少启动期间的浪涌电流,从而最大限度地减少输入电容。包括标准保护功能,如过流和过热保护。

LP2992 采用 5 引脚 2.9mm × 2.8mm SOT-23 (DBV) 封装。

特性

  • VIN 范围(新芯片):2.5V 至 16V
  • VOUT 范围 (新芯片):
    • 1.2V 至 5.0V (固定,100mV 步长)
  • VOUT 精度:
    • ±1% 用于 A 级传统芯片
    • ±1.5% 标准级传统芯片
    • 新芯片 ±0.5%
  • 负载和温度输出精度为 ±1%(新芯片)
  • 输出电流:高达 250mA
  • 低 IQ (新芯片):ILOAD = 0mA 时为 69μA
  • 低 IQ (新芯片):ILOAD = 250mA 时为 875μA
  • 关断电流:
    • 0.01μA (典型值,传统芯片)
    • 1.12μA (典型值,新芯片)
  • 低噪声:30μVRMS,带 10nF 旁路电容器
  • 输出电流限制和热保护
  • 可使用 2.2μF 陶瓷电容器保持稳定
  • 高 PSRR:1kHz 时为 70dB,1MHz 时为 40dB
  • 工作结温:–40°C 至 +125°C
  • 封装:5 引脚 SOT-23 (DBV)

参数
微控制器

方框图
微控制器

概述

LP2992 是一款微功率、低噪声、超低压差(LDO)稳压器,支持高达 250mA 的负载电流,并采用 SOT-23 和 WSON 封装。它专为使用极低 ESR 输出电容器而设计,适用于各种低功耗应用。

主要特性

  • 输入电压范围‌:2.5V 至 16V(新芯片)
  • 输出电压范围‌:1.2V 至 5.0V(以 100mV 为步长,新芯片)
  • 输出电压精度‌:
    • ±1%(新芯片,负载和温度条件下)
    • ±1.5%(标准级旧芯片)
    • ±1%(A 级旧芯片)
  • 静态电流‌:
    • 69μA(无负载,新芯片)
    • 875μA(满载,新芯片)
    • 0.01μA(关断模式,旧芯片)
    • 1.12μA(关断模式,新芯片)
  • 低噪声‌:30μV RMS(带 10nF 旁路电容)
  • 超低压差‌:典型值为 1mV 至 2.75mV(取决于负载电流)
  • 高电源抑制比(PSRR) ‌:70dB @ 1kHz,40dB @ 1MHz
  • 封装‌:5-pin SOT-23 和 6-pin WSON

应用

  • 洗衣机和烘干机
  • 陆地移动无线电
  • 主动天线系统(mMIMO)
  • 无绳电动工具
  • 电机驱动和控制板

功能描述

  • 内部软启动‌:减少启动时的浪涌电流
  • 电流限制‌:保护器件免受高负载电流故障或短路事件的影响
  • 过热保护‌:防止器件因过热而损坏
  • 旁路电容‌:通过 BYPASS 引脚连接旁路电容,以降低参考电压噪声
  • 使能引脚(ON/OFF) ‌:控制器件的开启和关闭

封装和订购信息

  • 提供多种输出电压选项,如 1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V
  • 可选封装包括 SOT-23(DBV)和 WSON(NGD)
  • 提供活性、生命周期购买(Lifebuy)、不推荐用于新设计(NRND)以及样品(Samples)等状态的产品

电气特性

  • 线性调整率‌:通常在 0.002%/V 至 0.032%/V 之间
  • 负载调整率‌:通常在 ±0.5% 至 ±5% 之间(取决于负载电流和温度)
  • 压差电压‌:随负载电流变化,典型值在 1mV 至 340mV 之间
  • 关断漏电流‌:通常小于 1μA

热特性

  • 结到环境温度热阻‌:取决于封装类型,如 SOT-23 的 RθJA 为 169.7°C/W 至 178.6°C/W
  • 结到外壳热阻‌:如 SOT-23 的 RθJC(top) 为 122.6°C/W

布局指南

  • 推荐在输入引脚旁使用旁路电容,以最小化环路面积
  • 对于满载操作,建议使用宽走线以减少 IR 压降和热耗散

注意事项

  • 在使用过程中,应注意静电放电(ESD)保护
  • 在高功率耗散应用中,应合理设计散热措施,以确保器件在允许的结温范围内工作
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