SC5016大功率IGBT测试系统 第三代半导体静态参数检测设备

电子说

1.4w人已加入

描述

一、产品定位

SC5016大功率IGBT静态参数测试系统是专为‌碳化硅(SiC)/氮化镓(GaN)功率器件‌设计的全自动检测平台,支持±5000V/2000A(可扩展)极端参数测试。本设备通过模块化设计实现‌在线检测‌与‌实验室级精度‌的融合,满足新能源、智能电网等领域对‌功率半导体可靠性验证‌的核心需求。

二、核心技术创新

1. 极端工况模拟能力

超宽测试范围‌:5000V击穿电压/2000A持续电流(脉冲模式可达3000A)

多材料兼容‌:完整支持Si/SiC/GaN器件的静态参数分析

智能温控系统‌:内置水冷模块确保满负荷运行稳定性(ΔT≤5℃@1600A)

2. 在线检测突破

非拆卸式测试‌:独创Vcesat在线检测技术,支持电路板在位测量

自适应补偿算法‌:消除PCB寄生参数影响,测量精度达±0.05%

安全防护体系‌:通过IEC 61010-1防爆认证,具备电弧快速切断功能

3. 工程化设计升级

大功率

军工级结构‌:插槽式模块设计,支持现场快速更换测试卡

双模式操作‌:7寸工业触控屏本地控制 / PC端LabVIEW远程操控

数据追溯系统‌:自动生成符合ISO9001的测试报告(中英双语模板)

三、关键技术指标

参数类别 量程范围 分辨率 符合标准
电压测试 0-±5000V 1mV IEC 60747-9
电流测试 0-±2000A 1nA MIL-STD-750E
栅极驱动 ±100V 0.1mV AEC-Q101
脉冲宽度 50-300μs 0.1μs JESD22-A108F

四、典型测试能力

1. 功率器件静态特性

IGBT模块‌:BVCES/VGE(th)/VCESAT(支持3.3kV以上高压模块)

MOSFET‌:RDS(on)@2000A级电流/体二极管反向恢复参数

宽禁带器件‌:SiC肖特基势垒高度/GaN二维电子气迁移率

2. 特色测试模式

IV曲线扫描‌:支持1000点/秒高速采样(可生成Rθja热阻曲线)

对比分析功能‌:多批次器件参数分布直方图自动生成

极限工况模拟‌:雪崩能量测试模式(EAS≥200mJ)

五、行业解决方案

1. 新能源领域

光伏逆变器IGBT模块全参数验证

电动汽车电机控制器在线检修

储能系统功率器件老化分析

2. 工业应用场景

轨道交通牵引变流器模块筛选

工业变频器失效器件快速定位

电焊机功率单元可靠性评估

大功率


审核编辑 黄宇

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分