电子说
一、产品定位
SC5016大功率IGBT静态参数测试系统是专为碳化硅(SiC)/氮化镓(GaN)功率器件设计的全自动检测平台,支持±5000V/2000A(可扩展)极端参数测试。本设备通过模块化设计实现在线检测与实验室级精度的融合,满足新能源、智能电网等领域对功率半导体可靠性验证的核心需求。
二、核心技术创新
1. 极端工况模拟能力
超宽测试范围:5000V击穿电压/2000A持续电流(脉冲模式可达3000A)
多材料兼容:完整支持Si/SiC/GaN器件的静态参数分析
智能温控系统:内置水冷模块确保满负荷运行稳定性(ΔT≤5℃@1600A)
2. 在线检测突破
非拆卸式测试:独创Vcesat在线检测技术,支持电路板在位测量
自适应补偿算法:消除PCB寄生参数影响,测量精度达±0.05%
安全防护体系:通过IEC 61010-1防爆认证,具备电弧快速切断功能
3. 工程化设计升级

军工级结构:插槽式模块设计,支持现场快速更换测试卡
双模式操作:7寸工业触控屏本地控制 / PC端LabVIEW远程操控
数据追溯系统:自动生成符合ISO9001的测试报告(中英双语模板)
三、关键技术指标
| 参数类别 | 量程范围 | 分辨率 | 符合标准 |
|---|---|---|---|
| 电压测试 | 0-±5000V | 1mV | IEC 60747-9 |
| 电流测试 | 0-±2000A | 1nA | MIL-STD-750E |
| 栅极驱动 | ±100V | 0.1mV | AEC-Q101 |
| 脉冲宽度 | 50-300μs | 0.1μs | JESD22-A108F |
四、典型测试能力
1. 功率器件静态特性
IGBT模块:BVCES/VGE(th)/VCESAT(支持3.3kV以上高压模块)
MOSFET:RDS(on)@2000A级电流/体二极管反向恢复参数
宽禁带器件:SiC肖特基势垒高度/GaN二维电子气迁移率
2. 特色测试模式
IV曲线扫描:支持1000点/秒高速采样(可生成Rθja热阻曲线)
对比分析功能:多批次器件参数分布直方图自动生成
极限工况模拟:雪崩能量测试模式(EAS≥200mJ)
五、行业解决方案
1. 新能源领域
光伏逆变器IGBT模块全参数验证
电动汽车电机控制器在线检修
储能系统功率器件老化分析
2. 工业应用场景
轨道交通牵引变流器模块筛选
工业变频器失效器件快速定位
电焊机功率单元可靠性评估

审核编辑 黄宇
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