MAX11008双通道RF LDMOS偏置控制器,带有非易失存储器技术手册

描述

概述

MAX11008控制器为蜂窝基站和其他无线基础设备中的RF LDMOS功放提供偏压。每个控制器包括增益可设置为2、10和25倍的高边电流检测放大器,用来监测LDMOS的漏极电流(电流范围20mA到5A)。MAX11008支持最多2个外部连接成二极管的晶体管,用于监测LDMOS温度,内部温度传感器可以测量本地结温。12位逐次逼近寄存器(SAR)模/数转换器(ADC)对来自可编程增益放大器(PGA)、外部温度传感器、内部温度检测以及2路额外的辅助输入端的模拟信号进行转换。MAX11008结合温度、AIN和/或漏极采样值与查找表中(LUT)存储的数据,自动调整LDMOS偏压。

MAX11008包含两个栅极驱动通道,每通道包含一个12位DAC,可产生栅极正压,用于偏置LDMOS器件。每个栅极驱动输出可源出高达±2mA的栅极电流。栅极驱动放大器将电流限制在±25mA,并可快速箝位至AGND。

MAX11008包含4Kb非易失EEPROM,按照256位 x 16位的配置存储LUT和寄存器信息。器件工作在4线16MHz SPI™/MICROWIRE™兼容接口或工作在I²C兼容的串口。

MAX11008采用+4.75V至+5.25V模拟供电电源(典型工作电流为2mA)和+2.7V至+5.25V数字供电电源(典型工作电流为3mA)。器件采用48引脚、7mm x 7mm、薄型QFN封装,工作在扩展级温度范围(-40°C至+85°C)。
数据表:*附件:MAX11008双通道RF LDMOS偏置控制器,带有非易失存储器技术手册.pdf

特性

  • 片内4Kb EEPROM,用于存储LDMOS偏置参数
  • 集成高边检流PGA,增益为2、10或25倍
  • +75mV和+1250mV电压检测范围内保持±0.75%精度
  • 满量程检测电压
    • +100mV,25倍增益
    • +250mV,10倍增益
    • +1250mV,2倍增益
  • 共模范围、LDMOS漏极耐压:+5V至+32V
  • 可调节的低噪声、0至AVDD输出栅极偏置电压范围
  • 快速箝位至AGND,用于LDMOS保护
  • 带温度测量的12位DAC栅极控制
  • 内部结温测量
  • 通过远端二极管实现双通道外部温度测量
  • 内部12位ADC,用于测量:温度、电流以及电压
  • 用户可选择串口
    • 400kHz/1.7MHz/3.4MHz I²C兼容接口
    • 16MHz SPI/MICROWIRE兼容接口

应用

  • 蜂窝基站
  • 前馈功放
  • 工业过程控制
  • 微波无线链路
  • 发送器

电特性
LDMOS

典型操作特性
LDMOS

典型工作特性(续)
LDMOS

框图
LDMOS

典型应用电路——I2C接口
LDMOS

典型应用电路——SPI接口
LDMOS

图1显示了4线接口时序图。MAX11008是一款仅发送/接收从设备,依靠主机产生时钟信号。主机启动总线上的数据传输,并产生允许数据传输的SCLK信号。
LDMOS

图12显示了max 11008 ADC输入架构的等效电路。在跟踪模式下,输入电容连接到输入信号(ADCIN1、ADCIN2、PGAOUT1、PGAOUT2或温度传感器处理器输出)。另一个输入电容连接到AGND。在T/H进入保持模式后,采样的正负输入电压之差被转换。输入电容的充电速率决定了T/H获取输入信号所需的时间。如果输入信号的源阻抗很高,所需的采集时间也会相应延长。
LDMOS

图13显示了非温度测量的单极性传递函数,图14显示了温度测量的双极性传递函数。代码转换发生在连续整数LSB值的中间。输出编码为二进制,1 LSB = VREFADC/4096用于非温度测量,1 LSB =+0.125°C用于温度测量。所有带符号的二进制结果都使用二进制补码格式。
LDMOS

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