概述
ADL5523是一款高性能的GaAs pHEMT低噪声放大器,可以为单一下变频转换IF采样接收机架构和直接下变频转换接收机提供高增益和低噪声系数。
该器件具有高集成度,内置有源偏置电路和隔直电容,不仅非常易于使用,而且不会影响设计灵活性。
ADL5523只需极少外部元件,便可轻松进行调整。该器件可在3 V至5 V电压下工作,并可通过外部偏置电阻调整电流吸取,从而满足要求极低功耗的应用需求。
ADL5523采用紧凑的散热增强型3 mm × 3 mm LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。
同时还提供配置齐全的评估板。
数据表:*附件:ADL5523 400MHz至4000MHz低噪声放大器技术手册.pdf
特性
框图
引脚配置和功能描述
典型性能特征
基本连接
操作ADL.5523的基本连接如图53所示。电容C5提供电源去耦。电感L1 (Coilcraft 0403HQ或0402HP系列)和电容C1(Murata High-Q GJM系列或等效产品)提供输入阻抗匹配,输出阻抗匹配由L2或C3提供。电阻Rl用于设置电源电流,Rl值与电源电流成间接比例关系(即增加Rl值会降低电源电流)。表7列出了所选频率的推荐外部元件。
对于输入功率超过约7 dBm输入压缩点的5 V应用,在VPOS线上插入一个至少8欧姆、高额定功率(最小0.2)的串联电阻(R2),以保护器件免受输入功率过驱。在这种情况下,将电阻Rl从1.3 k2降至600欧姆,使电源电流保持在60 mA左右。当R2 = 8.2 2(苏苏姆RP1608S-8R2-F)和R1 = 600欧姆时,ADL5523的增益和噪声系数基本保持不变。表6列出了选定频率下的OIP3和P1dB。对于3v电源应用,对于高达20 dBm的预期输入过驱功率,不需要串联电阻。
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