UCC38C55 商用 30V、低功耗电流模式 PWM 控制器数据手册

UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。

UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 阈值，可实现可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，现有的 UVLO 阈值可持续支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。
*附件：用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCCx8C5x 低功耗电流模式高性能 PWM 控制器数据表.pdf

VDD 绝对最大额定电压从 20V 扩展到 30V，以最佳方式驱动 20 V gs、18 V gs 或 15 V gs SiC MOSFET 的栅极，同时还允许排除外部 LDO。

UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP （DGK） 和 8 引脚 SOIC （D） 封装。

特性

• 欠压锁定选项，支持 Si 和 SiC MOSFET 应用
• 30V VDD 绝对最大电压
• 1MHz 最大固定频率作
• 50μA 启动电流，最大 75μA
• 低工作电流：1.3 mA（f OSC = 52 kHz 时）
• 快速 35ns 逐周期过流限制
• ±1A 峰值驱动电流
• 轨到轨输出
  • 25ns 上升时间
  • 20 ns 下降时间
• 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
• 引脚对引脚兼容，可直接替代 UCCx8C4x
• 功能安全

参数

1. 产品概述

• ‌产品系列‌：UCCx8C5x
• ‌应用‌：适用于 Si 和 SiC MOSFET，用于通用单端 DC-DC 或离线隔离电源转换器、太阳能逆变器辅助电源、电机驱动、储能系统以及 EV 充电站隔离电源等。
• ‌特点‌：
  • 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定（UVLO）选项
  • VDD 绝对最大电压为 30 V
  • 最大固定频率为 1 MHz
  • 启动电流为 50 μA，最大为 75 μA
  • 低工作电流：1.3 mA（在 fOSC = 52 kHz 时）
  • 35 ns 的逐周期过流限制
  • ±1 A 的峰值驱动电流
  • 轨到轨输出，上升时间为 25 ns，下降时间为 20 ns
  • ±1% 精确的 2.5 V 误差放大器参考电压
  • 与 UCCx8C4x 针脚兼容，可直接替换
  • 具备功能安全能力

2. 主要规格

• ‌绝对最大额定值‌：
  • 输入电压 VDD：30 V
  • 输入电流 IVDD：30 mA
  • 输出驱动电流（峰值）：±1 A
  • 输出能量（电容性负载）EOUT：5 μJ
  • 模拟输入电压 COMP、CS、FB、RT/CT：-0.3 V 至 6.3 V
  • 输出驱动器电压 OUT：-0.3 V 至 30 V
  • 参考电压 VREF：7 V
  • 误差放大器输出漏电流 COMP：10 mA
  • 总功耗（D 包装）：72.3 °C/W，DGK 包装：98.1 °C/W
• ‌推荐工作条件‌：
  • VDD 输入电压：28 V（对于 UCC28C56H/L, UCC28C57H/L, UCC28C58/9 为 20 V）
  • 输出驱动器电压 VOUT：28 V
  • 平均输出驱动器电流 IOUT：200 mA
  • 操作结温 TJ：UCC28C5x 为 -40 °C 至 125 °C，UCC38C5x 为 0 °C 至 85 °C

3. 功能特性

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：提供六组 UVLO 阈值，适用于不同应用场景，如离线应用、DC-DC 应用和电池应用。
• ‌内部参考电压‌：2.5 V 内部参考电压，初始准确度为 ±1%（室温下），全温度范围内为 ±2%。
• ‌电流检测和过流限制‌：外部电流感应电阻将电流转换为电压输入到 CS 引脚，与误差放大器输出电压成比例的信号进行比较，实现过流保护。
• ‌振荡器‌：具有修整后的放电电流，可准确编程最大占空比和死区时间。
• ‌软启动‌：通过缓慢增加有效占空比来逐渐启动转换器。
• ‌斜坡补偿‌：在占空比超过 50% 时提供稳定性。
• ‌电压模式控制‌：可通过向 CS 引脚输入锯齿波信号来实现电压模式控制。

4. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：提供 8 引脚 VSSOP（DGK）和 8 引脚 SOIC（D）两种封装选项。
• ‌订购信息‌：详细列出了各种型号、封装、环保计划、引脚数、量产状态等信息。

5. 应用与实施

• ‌典型应用‌：提供了离线反激转换器、正向转换器等典型应用电路。
• ‌设计步骤‌：包括输入电容选择、变压器匝数比和最大占空比计算、变压器电感和峰值电流计算、输出电容选择、电流感应网络设计、栅极驱动电阻选择等。
• ‌布局指南‌：强调了布局中对噪声敏感元件的放置、旁路电容的放置、反馈迹线的布局等关键要点。

6. 文档与支持

• ‌相关文档‌：提供了与 UC384x 相关的文档链接。
• ‌支持资源‌：包括 TI E2E™ 支持论坛、产品文件夹订阅等。

7. 注意事项

• ‌ 静电放电（ESD） ‌：提醒在处理集成电路时需采取适当的预防措施，以防 ESD 损坏。
• ‌商标‌：TI E2E™ 是 Texas Instruments 的商标。