UCC38C53 商用 30V、低功耗电流模式 PWM 控制器数据手册

UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。

UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 阈值，可实现可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，现有的 UVLO 阈值可持续支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。
*附件：用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCCx8C5x 低功耗电流模式高性能 PWM 控制器数据表.pdf

VDD 绝对最大额定电压从 20V 扩展到 30V，以最佳方式驱动 20 V gs、18 V gs 或 15 V gs SiC MOSFET 的栅极，同时还允许排除外部 LDO。

UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP （DGK） 和 8 引脚 SOIC （D） 封装。

特性

• 欠压锁定选项，支持 Si 和 SiC MOSFET 应用
• 30V VDD 绝对最大电压
• 1MHz 最大固定频率作
• 50μA 启动电流，最大 75μA
• 低工作电流：1.3 mA（f OSC = 52 kHz 时）
• 快速 35ns 逐周期过流限制
• ±1A 峰值驱动电流
• 轨到轨输出
  • 25ns 上升时间
  • 20 ns 下降时间
• 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
• 引脚对引脚兼容，可直接替代 UCCx8C4x
• 功能安全

参数

1. 产品概述

• ‌产品系列‌：UCCx8C5x
• ‌类型‌：低功耗电流模式高性能 PWM 控制器
• ‌应用领域‌：适用于 Si 和 SiC MOSFET 的各种应用
• ‌改进与优势‌：相比 UCCx8C4x 系列，UCCx8C5x 系列具有更高的效率和鲁棒性，新增了支持 SiC MOSFET 的 UVLO 阈值。

2. 主要特性

• ‌UVLO 选项‌：支持 Si 和 SiC MOSFET 应用，具有多种 UVLO 阈值选择。
• ‌绝对最大电压‌：VDD 绝对最大电压为 30 V，适用于驱动 20-Vgs、18-Vgs 或 15-Vgs 的 SiC MOSFET。
• ‌工作频率‌：最大固定频率为 1 MHz。
• ‌启动电流‌：50 µA（典型值），最大 75 µA。
• ‌工作电流‌：在 fOSC = 52 kHz 时为 1.3 mA。
• ‌过流限制‌：具有 35 ns 的逐周期过流限制功能。
• ‌驱动能力‌：±1 A 峰值驱动电流，轨到轨输出，上升时间 25 ns，下降时间 20 ns。
• ‌参考电压精度‌：±1% 准确的 2.5 V 误差放大器参考电压。
• ‌功能安全‌：提供文档支持功能安全系统设计。

3. 封装与选项

• ‌封装类型‌：8 引脚 VSSOP（DGK）和 8 引脚 SOIC（D）
• ‌选项‌：包括 UCC28C50 至 UCC28C59，以及对应的汽车级版本 UCC28C5x-Q1，支持不同的 UVLO 阈值和最大占空比。

4. 电气规格

• ‌绝对最大额定值‌：包括输入电压、输出驱动电流、模拟输入电压等参数的最大值。
• ‌推荐工作条件‌：包括 VDD 输入电压、输出驱动电压、平均输出驱动电流等工作条件的推荐范围。
• ‌电气特性‌：详细列出了参考电压、振荡器、误差放大器、电流感应等关键参数的性能指标。

5. 功能描述

• ‌保护功能‌：包括欠压锁定（UVLO）、逐周期过流限制等。
• ‌输出级‌：具有高峰值电流驱动能力，适合驱动 N 沟道 MOSFET。
• ‌振荡器‌：具有精确的放电电流，可准确编程最大占空比和死区时间。
• ‌软启动‌：通过外部电容实现软启动功能，限制启动时的峰值电流。
• ‌同步与使能‌：支持外部时钟同步，具有使能和禁用功能。

6. 应用与实施

• ‌典型应用‌：提供了使用 UCC28C42 控制器在离线反激转换器中的典型应用示例。
• ‌设计步骤‌：包括输入电容选择、变压器设计、输出电容选择、电流感应网络设计等详细设计步骤。
• ‌布局指南‌：提供了 PCB 布局的建议，以减少噪声和提高系统稳定性。

7. 支持与文档

• ‌设备支持‌：包括第三方产品声明、文档支持、更新通知等。
• ‌支持资源‌：提供 TI E2E™ 支持论坛、文档更新通知、相关链接等支持资源。