UCC28C56L 工业级 30V、低功耗电流模式 PWM 控制器数据手册

UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。

UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 阈值，可实现可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，现有的 UVLO 阈值可持续支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。
*附件：用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCCx8C5x 低功耗电流模式高性能 PWM 控制器数据表.pdf

VDD 绝对最大额定电压从 20V 扩展到 30V，以最佳方式驱动 20 V gs、18 V gs 或 15 V gs SiC MOSFET 的栅极，同时还允许排除外部 LDO。

UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP （DGK） 和 8 引脚 SOIC （D） 封装。

特性

• 欠压锁定选项，支持 Si 和 SiC MOSFET 应用
• 30V VDD 绝对最大电压
• 1MHz 最大固定频率作
• 50μA 启动电流，最大 75μA
• 低工作电流：1.3 mA（f OSC = 52 kHz 时）
• 快速 35ns 逐周期过流限制
• ±1A 峰值驱动电流
• 轨到轨输出
  • 25ns 上升时间
  • 20 ns 下降时间
• 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
• 引脚对引脚兼容，可直接替代 UCCx8C4x
• 功能安全

参数

1. ‌产品概述‌

• ‌产品系列‌：UCCx8C5x
• ‌类型‌：低功耗电流模式高性能PWM控制器
• ‌应用领域‌：适用于Si和SiC MOSFET的各种应用
• ‌改进‌：相比UCCx8C4x系列，UCCx8C5x系列具有更高的效率和鲁棒性，并新增了支持SiC MOSFET的UVLO阈值。

2. ‌主要特性‌

• ‌UVLO选项‌：提供多种UVLO阈值，以适应不同的应用需求。
• ‌高电压支持‌：VDD绝对最大电压为30V，适用于驱动高电压SiC MOSFET。
• ‌低功耗‌：启动电流低至50μA（典型值），最大75μA；工作电流在fOSC=52kHz时为1.3mA。
• ‌快速过流限制‌：具有35ns的逐周期过流限制功能。
• ‌高性能‌：±1A峰值驱动电流，轨到轨输出，上升时间25ns，下降时间20ns。
• ‌高精度参考电压‌：提供±1%准确的2.5V误差放大器参考电压。

3. ‌封装与选项‌

• ‌封装类型‌：提供8引脚VSSOP（DGK）和8引脚SOIC（D）两种封装选项。
• ‌具体型号‌：包括UCC28C50至UCC28C59等多个型号，以及对应的汽车级版本（如UCC28C5x-Q1）。

4. ‌电气规格‌

• ‌绝对最大额定值‌：详细列出了输入电压、输出驱动电流、模拟输入电压等参数的最大值。
• ‌推荐工作条件‌：提供了VDD输入电压、输出驱动电压、平均输出驱动电流等推荐工作范围。
• ‌电气特性‌：包括参考电压、振荡器、误差放大器、电流感应等关键参数的性能指标。

5. ‌功能描述‌

• ‌保护功能‌：集成欠压锁定（UVLO）和逐周期过流限制等保护功能。
• ‌高性能输出级‌：设计用于驱动N沟道MOSFET，具有高峰值电流驱动能力。
• ‌精确振荡器‌：具有精确的放电电流，可准确编程最大占空比和死区时间。
• ‌软启动功能‌：通过外部电容实现软启动，限制启动时的峰值电流。
• ‌同步与使能‌：支持外部时钟同步，并提供使能和禁用功能。

6. ‌应用与实施‌

• ‌典型应用‌：提供了使用UCC28C42控制器在离线反激转换器中的典型应用示例。
• ‌设计步骤‌：详细介绍了输入电容选择、变压器设计、输出电容选择、电流感应网络设计等关键设计步骤。
• ‌布局指南‌：提供了PCB布局建议，以减少噪声并提高系统稳定性。