HMC902LP3E低噪声放大器，采用SMT封装技术手册

概述
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。

16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。
数据表：*附件：HMC902LP3E低噪声放大器，采用SMT封装技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电
• 军事和太空
• 测试仪器仪表

特性

• 低噪声系数：1.8 dB（典型值）
• 高增益：19.5 dB
• 高P1dB输出功率：16 dBm（典型值）
• 单电源：3.5 V (80 mA)
• 输出IP3：28 dBm
• 50 Ω匹配输入/输出
• 通过可选偏置控制实现自偏置，以降低静态漏极控制(IDQ)。
• 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装：9 mm²

框图

引脚配置描述

接口示意图

操作理论
HMC902LP3E是一个GaAs，MMIC，pHEMT，LNA。TheHMC902L。P3E放大器使用两个串联增益级。放大器的基本原理图如图21所示，它构成了工作频率范围为5 GHz至11 GHz的aLNA，具有出色的噪声系数性能。

HMC902LP3E具有单端输入和输出端口，阻抗在5 GHz至11 GHz频率范围内标称值等于50欧姆。因此，该器件可以直接插入50 欧姆系统，无需阻抗匹配电路，这也意味着多个HMC902LP3E放大器可以背靠背级联，无需外部匹配电路。
输入和输出阻抗相对于温度和电源电压的变化足够稳定，不需要阻抗匹配补偿。为确保稳定工作，必须为封装接地焊盘提供极低电感的接地连接。为实现HMC902LP3E的最佳性能并防止器件损坏，请勿超过绝对最大额定值。