CMOS 工艺中的寄生晶闸管(SCR)结构,是由 NMOS 和 PMOS 的寄生 NPN/PNP 晶体管相互连接形成的。这些寄生晶体管平时处于关闭状态,但当受到电压尖峰、静电干扰或高温时,会触发正反馈环路,导致电流在芯片内部无限放大,最终烧毁芯片或迫使系统断电。这一现象即为闩锁效应。

如何快速判断电路是否存在闩锁?
如果遇到以下情况,可以是闩锁在作祟:
电流突然激增:芯片耗电猛增,远超正常工作电流。
电压突然暴跌:电源电压“断崖式下跌”, 导致芯片复位或功能紊乱。
高温更易崩溃:芯片在高温环境下(如>85℃)更容易触发闩锁。
检测方法:
静电测试:模拟人体接触放电,验证芯片抗ESD能力(IEC 61000-4-2)。
浪涌测试:模拟雷击或电源波动,测试电路稳定性(IEC 61000-4-5)。
电脑模拟:用仿真工具(如TCAD)预判寄生结构的触发阈值,优化设计。
不同器件的“触发门槛”与防护方案
器件类型
| 触发条件
| 防护建议
|
IGBT
| 电流过大(如10A以上)
| 1.串联限流电阻或保险丝;2.设计过流关断电路,触发时强制关断IGBT。
|
CMOS芯片(如单片机)
| I/O口对地电压异常(I/O口低于-1.8V或高于VCC+0.7V)
| 1. I/O口串联200Ω电阻“限流”;2. 用TVS二极管箝位电压;3.热插拔时优先连接地线,避免电位差触发寄生晶体管!
|
LDO(低压差稳压器)
| 电流过载(如输入1.8V时达900mA)
| 1. 串电阻“分流”;2. 加“复位开关”强制重启;3.选抗闩锁设计的稳压器。
|
运算放大器(如OPA4H199)
| 输出短路或过载(如电流超120mA)
| 1. 输出端加电阻“限流”;2. 用自恢复保险丝当“自动开关”。
|
雷卯电子的“防闩锁武器库”
1. 高功率接口:TVS二极管 + 自恢复保险丝
TVS二极管:纳秒级响应,将电压尖峰箝位至安全阈值,防止寄生晶体管触发。
自恢复保险丝(PPTC):过流时自动断开电路,故障排除后自动复位,避免持续损坏。两者协同可阻断闩锁触发条件。

2.低电压/高速接口:ESD静电防护
低电容ESD器件:像“防静电外套”一样,包裹芯片接口,防止静电“电击”触发闩锁,同时不影响信号速度(如USB、HDMI)。
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类型
| 型号
| 描述
| 封装
| 应用
|
ESD
| ULC0524BLC
| 5V,0.3/0.8PF,5A
| DFN2510P10
| DP接口静电防护
|
ESD
| SDA1211CDN
| 12V,Bi,8PF,8A
| DFN1006
| 12V电源接口防静电
|
ESD
| SD24C
| 24V,Bi,50PF,12A
| SOD-323
| CAN接口静电防护
|
ESD
| SMC24
| 24V,Bi,30PF,9A
| SOT-23
| CAN接口静电防护
|
ESD
| ESDA05CP
| 5V Bi, 10PF,5A
| DFN1006-2
| GPIO静电保护
|
ESD
| SDA05W5
| 5V,Uni,30PF,3A
| SOT-353
| GPIO静电保护
|
ESD
| ULC332010T8
| 3.3V,1.5PF,30A
| DFN2010-8
| 千兆网防静电
|
ESD
| GBLC03C
| 3.3V,Bi,0.6 PF,20A
| SOD-323
| 千兆网防静电
|
ESD
| SLVU2.8-4
| 2.8V,Bi,2 PF,30A
| SOP-08
| 千兆网防静电
|
ESD
| USRV05-4
| 5V,Uni,0.7PF,5A
| SOT-26
| SD卡静电防护
|
ESD
| ULC3304P10
| 3.3V,Uni, 0.4PF,5A
| DFN2510P10
| HDMI 2.0静电保护
|
ESD
| SR05W
| 5V,Uni,3PF,20A
| SOT-143
| USB2.0 静电保护
|
ESD
| LC0502D6
| 5V,0.8PF,6A
| SOT-26
| USB2.0静电防护
|
ESD
| ULC05DT3
| 5V,Uni,0.6PF,4A
| SOT-23
| eSATA静电保护
|
ESD
| ULC0568K
| 5V,0.3PF,5A
| DFN4120-10
| USB3.0静电保护
|
ESD
| ULC0502P3
| 5V,Uni,0.6PF,5A
| DFN1006-3
| USB3.0 静电保护
|
ESD
| ULC0524P
| 5V,Uni,0.3PF,5A
| DFN2510P10
| USB3.0静电保护
|
ESD
| SMC12
| 12V,Bi,45PF,15A
| SOT-23
| I2C接口静电保护
|
ESD
| ULC0504P
| 5V,0.4PF,5A
| DFN1616-6
| TF卡静电保护
|
ESD
| SR12W
| 12V,5PF,16A
| SOT-143
| RS232静电保护
|
ESD
| SMC15
| 15V,Bi,40PF,9A
| SOT-23
| RS232静电保护
|
ESD
| SM712
| 7/12V,Bi,34PF,22/17A
| SOT-23
| RS485接口静电保护
|
ESD
| ULC0542C13
| 5V,Bi,0.13PF,3A
| DFN1006
| WIFI天线静电保护
|
ESD
| LC0504F
| 5V,Uni,0.8PF,5A
| SOT-363
| SIM卡静电保护
|
ESD
| LC05CI
| 5V,Bi,1.2PF,20A
| SOD-323
| RF天线接口防静电
|
ESD
| ULC0521C
| 5V,Bi,0.26PF,5A
| DFN0603
| 音频接口静电保护
|
ESD
| LCC05DT3
| 5V,Bi,1.2PF,12A
| SOT-23
| 音频接口静电保护
|
ESD
| SDA1511DN
| 15V,50PF,10A
| DFN1006
| DC12V电源防静电
|
ESD
| ESDA05CC
| 5V,Bi,39PF,20A
| SOD-523
| 电源输出接口静电
|
ESD
| PTVS0542H100
| 5V,190PF,105A
| DFN1006
| 5V供电接口防静电
|
总结:防闩锁三板斧
1.设计时“防微杜渐”:
电源去耦:芯片电源引脚并联0.1μF陶瓷电容,抑制电压毛刺。
布局优化:缩短敏感信号线长度,减少寄生电容耦合;增加衬底和阱的接地接触,降低寄生电阻。。
版图设计:在I/O区域添加Guard Ring(环形接地层),阻止载流子扩散触发闩锁。
2.器件选型“硬核防御”:
高功率接口选TVS,PPTC防过流,低压高速信号选ESD,像给电路穿“防弹衣”。
3.雷卯“定制服务”:
遇到复杂场景?雷卯技术团队可量身定制方案,像“电路医生”一样对症下药!
Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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