晶体管图示仪使用方法及使用注意事项

　　什么是晶体管图示仪

　　晶体管特性图示仪是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极，共基板和共发射极的输入特性，输出特征，转换特征，β参数以及α参数等，并可根据需要，测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数。

　　晶体管图示仪的组成

　　晶体管图示仪是由集电极扫描电压发生器、基极阶梯信号发生器、问步脉冲发生器、X放大器和Y放大器、示波器及控制电路、电源电路等部分组成，是测量晶体管特性参数的仪器；基本组成请看下图：

　　晶体管图示仪主要技术指标

　　1、Y轴偏转系数

　　集电极电流范围：10μA/DIV，分15档，误差不超过±3％

　　二极管反向漏电流：

　　-2μA/DIV~5μA/DIV，误差不超过±5％

　　-1μA/DIV误差不超过±7％

　　-0.5μA/DIV误差不超过±10％

　　-0.2μA/DIV误差不超过±20％

　　外接输入：0.1μA/DIV误差不超过±3％

　　2、X轴偏转系数

　　极电极电压范围：0.1~500V/DIV分12档，误差不超过±3％

　　基极电压范围：0.1~5V/DIV分6档，误差不超过±3％

　　外接输入：0.05V/DIV误差不超过±3％

　　阶梯电压范围：0.05~1v/级分5档，误差不超过±5％

　　串联电阻：10Ω，10KΩ，0.1MΩ分三档，误差不超过±10％

　　3、其它

　　校正信号：0.5Vp-p，误差不超过±2％）（频率为市电频率）

　　01Vp-p，误差不超过±2％）（频率为市电频率）

　　电源电压：（220±10％）V

　　电源频率：（50±5％）Hz

　　视在功率：非测试状态约50W，满功率测试状态约80W.

　　晶体管图示仪使用方法

　　“电压（v）/度”旋钮开关

　　此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共17挡的旋钮开关，用来选择图示仪x轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性曲线时，该旋钮置VBE的有关挡。

　　“电流/度”旋钮开关

　　此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关，用来选择图示仪Y轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置Ic的有关挡。测量输入特性时，该旋钮置“基极电流或基极源电压”挡（仪器面板上画有阶梯波形的一挡）。

　　“峰值电压范围”开关和“峰值电压%”旋钮

　　“峰值电压范围’’是5个挡位的按键开关。“峰值电压%”是连续可调的旋钮。它们的共同作用是用来控制“集电极扫描电压”的大小。不管“峰值电压范围”置于哪一挡，都必须在开始时将“峰值电压%”置于0位，然后逐渐小心地增大到一定值。否则容易损坏被测管。一个管子测试完毕后，“峰值电压%”旋钮应回调至零。

　　“功耗限制电阻”旋钮

　　“功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极电阻，它串联在被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间，用来调节流过晶体管的电流，从而限制被测管的功耗。测试功率管时，一般选该电阻值为1kΩ。

　　“基极阶梯信号”旋钮

　　此旋钮给基极加上周期性变化的电流信号。每两级阶梯信号之间的差值大小由“阶梯选择毫安/级”来选择。为方便起见，一般选10μA。每个周期中阶梯信号的阶梯数由“级族”来选择，阶梯信号每簇的级数，实际上就是在图示仪上所能显示的输出特性曲线的根数。阶梯信号每一级的毫安值的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。

　　“零电压”、“零电流”开关

　　此开关是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都需要使被测管的基极处于开路状态。这时可以将该开关设置在“零电流”挡（只有开路时，才能保证电流为零）。当测量晶体管的击穿电流时，需要使被测管的基、射极短路，这时可以通过将该开关设置在“零电压”挡来实现。

　　晶体管特性图示仪使用方法

　　下面以JT-1型图示仪为例介绍晶体管特性图示仪的使用方法及注意事项，其面板如图8-11所示。

　　（1）晶体管特性图示仪的使用方法

　　①使用前须预热5min。

　　②调整好各开关的初始位置。注意图示仪的两个极性开关的选择。测试NPN型管子时，开关应放在正的位置；测试PNP型管子时，开关则应放在负的位置。

　　③使用标尺的颜色选择，一般观测时用红色标尺，摄影时用黄色标尺。调节辉度与辅助聚焦旋钮，使光点清晰。

　　④将集电极扫描的全部旋钮调到需要的范围，根据被测管子的最大工作电压，通常是将峰值电压范围旋钮置于0～20V或0～200V挡位上，将峰值电压旋钮旋转到零，将功耗限制电阻置于较大的挡上（如1kΩ以上）。测试时，根据变化再做相应的大小调整，直至获得理想的特性曲线为止。

　　⑤将X轴作用部分的伏/度，Y轴作用部分的毫安一伏/度与倍率调到需读测的范围。通常倍率开关先置于×1处，在测试微电流时，倍率置于×0.1处。

　　⑥使用时要校正X轴和Y轴的灵敏度。按下X轴或Y轴校正开关，屏幕上的光电位移10格就算校正完毕。

　　⑦将基极阶梯信号部分的极性、串联电阻、阶梯选择（毫安/级或伏/级）调到被测管需读测的范围，阶梯作用视需要选择，通常置于重复，级/秒一般选200为宜。

　　图8-11JT-1型图示仪的面板指示

　　（2）使用图示仪时的注意事项

　　①开始测试前，应初步了解被测晶体管的型号，交、直流参数，以及引脚的排列。

　　②在测试中应正确设置阶梯选择、功耗限制电阻和峰值电压范围开关的初始位置，以及极性开关的位置。若位置不当则会造成被测管损坏。

　　③测试中应注意被测管是否过热，是否超过被测管的性能和极限参数。

　　④测试结束后，应将峰值电压范围置于0～20V挡；将峰值电压旋钮至零处；将功耗限制电阻置于比较大的位置1kΩ以上；将基极阶梯信号的阶梯选择开关置于小于0.01毫安/级处；断开电源开关，以防下次使用仪器时因不慎而损坏被测管。

　　晶体管图示仪使用注意事项

　　1.使用前的检查

　　①检查仪器T作电压，并确保保险丝是否是指定型号。

　　②检查仪器的“峰值电压范围”是否置于低电压档，“峰值电压调节”是否旋至零位，“电压一电流级”是否置于阶梯电流低档，“阶梯信号”开关是否置于关档，“功耗限制电阻”是否置于中髙挡。

　　2.使用中的注意事项

　　①峰值电压范围由低电压档向髙电压档转换时，应先将峰值电压逆时针旋转至零，待换挡后，再慢慢调髙。

　　②注意阶梯信号选择、功耗限制电阻、峰值电压范围旋钮的使用，以免损坏被测

　　③测试大功率晶体管和极限参数、过载参数时，应采用单簇阶梯信号，以防过载损坏被测器件。

　　④测试MOS型场效应管时，不要使栅极悬空，以免感应电压过髙引起被测管击穿。

　　3.使用仪器三要和五不要原则，大家跟着一来来记起来~

　　三要原则：

　　1）使用完仪器后，要将仪器复位

　　2）要避免过热，过冷的温度，水分和灰尘

　　3）仪器要注意通风，避免潮湿等环境

　　五不要原则

　　1）不要把其它物体放在仪器上

　　2）不要将其他器件插入通风孔

　　3）不要让仪器受到撞击

　　4）不要用连接线拖拉仪器

　　5）不要将仪器长期倒置