TPS53627 用于 Intel VR13 CPU VCORE 和 DDR 内存的 2 相 D-CAP+ ™ 降压控制器技术资料

TPS53627 器件是一款无驱动、符合 VR13 SVID 标准的同步降压控制器。具有重叠脉冲的 D-CAP+ ™架构等高级控制功能支持下冲减少 （USR） 和过冲减少 （OSR），以提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。该器件还支持 CCM 和 DCM作中的单相作，以提高轻负载效率。该器件集成了一整套 VR13 I/O 功能，包括 VR_READY （PGOOD）、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 00h 到 07h 之间编程。V 的可调控制外转换速率可编程为 20mV/uS。
*附件：TPS53627 用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 内存的 2 相 D-CAP+ ™ 降压控制器数据表.pdf

与 TI NexFET™ 功率级配合使用，该整体解决方案可提供极高的速度和低开关损耗。

TPS53627器件封装采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，工作温度范围为 –40°C 至 +105°C。

特性

• 符合 Intel VR13 串行 VID （SVID） 标准^®^
• 1 相或 2 相作
• 支持 Droop 和非 Droop 应用
• 步长为 10mV 的 8 位 DAC
• 4.5V 至 28V 转换电压范围
• 输出范围：0.5 V 至 2.3 V
• 优化轻负载和重负载下的效率
• 8 个独立的过冲减少 （OSR） 和下冲减少 （USR） 级别
• 用于高效高频开关的无驱动器配置
• 支持分立、电源模块、功率级™或 DrMOS MOSFET 实现
• 精确、可调的电压定位
• 300kHz 至 1MHz 频率选择
• 获得专利的 AutoBalance™ 相位平衡
• 用于负载瞬态升压的可编程导通脉冲扩展
• 可编程自动 DCM 和 CCM作
• 可选 8 级电流限制
• 小型 4 mm × 4 mm、32 引脚 VQFN PowerPad™ 封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：TPS53627
• ‌类型‌：2相D-CAP+™降压控制器
• ‌应用‌：用于VR13 CPU VCORE和DDR内存供电
• ‌特点‌：支持Intel VR13 SVID协议、单/双相操作、快速瞬态响应、高效率、小封装等

2. 主要特性

• ‌Intel VR13 SVID兼容‌：支持00h至07h编程
• ‌1-或2-相操作‌：灵活配置以满足不同负载需求
• ‌支持Droop和非Droop应用‌：适应多种电源管理策略
• ‌8-Bit DAC‌：输出电压调节精度高达10mV
• ‌宽转换电压范围‌：4.5V至28V
• ‌输出电压范围‌：0.5V至2.3V
• ‌优化轻载和重载效率‌：支持CCM和DCM操作模式
• ‌快速瞬态响应‌：D-CAP+™架构，重叠脉冲支持，下冲和过冲减少
• ‌高频率选择‌：300kHz至1MHz
• ‌专利AutoBalance™相位平衡‌：自动平衡两相输出电流
• ‌可编程ON-脉冲扩展‌：增强负载瞬态响应
• ‌可编程自动DCM和CCM操作‌：根据负载条件自动调整工作模式
• ‌小封装‌：4mm × 4mm，32-Pin VQFN PowerPad™封装

3. 应用领域

• ‌VDDQ for DDR Memory‌：为DDR内存提供稳定电压
• ‌SoC Processor VCORE Power‌：为系统级芯片（SoC）处理器提供核心电压

4. 功能描述

• ‌D-CAP+™架构‌：通过重叠脉冲技术减少下冲和过冲，提高瞬态响应速度
• ‌VR13 I/O特性‌：集成VR_READY（PGOOD）、ALERT和VR_HOT等VR13接口功能
• ‌SVID接口‌：允许通过SVID接口进行编程和控制
• ‌输出电压斜率可调‌：VOUT斜率可调，最高可达20mV/μS
• ‌多种MOSFET实现方式‌：支持离散、Power Block™、Power Stage™或DrMOS MOSFET实现

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：32-Pin VQFN PowerPad™
• ‌封装尺寸‌：4mm × 4mm

6. 文档与支持

• ‌相关文档‌：提供TPS51604数据表等相关文档链接
• ‌文档更新通知‌：可通过TI官网注册接收文档更新通知
• ‌社区资源‌：链接到TI E2E™在线社区，提供技术支持和协作平台

7. 注意事项

• ‌静电放电（ESD）保护‌：设备内置有限的ESD保护，存储或处理时需采取防静电措施
• ‌操作温度范围‌：-40°C至+105°C
• ‌封装热焊盘‌：封装热焊盘必须焊接到PCB上，以确保热性能和机械性能