TPS53626 用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的 2 相 D-CAP+ ™ 降压控制器数据手册

TPS53626 器件是一款无驱动器、符合 VR13 SVID 标准的同步降压 控制器。先进的控制功能，如 D-CAP+ 架构，具有 重叠脉冲支持下冲减少 （USR） 和过冲减少 （OSR） 提供快速瞬态响应、最低的输出电容和高 效率。该器件还支持在 CCM 或 DCM 模式下进行单相作，以实现 轻载效率提升。该器件集成了一整套 VR13 I/O 功能包括 VR_READY （PGOOD）、ALERT 和 VR_HOT。 SVID 接口地址允许在 00h 到 07h 之间编程。可调 V 的控制外转换速率可设置为高达 20mV/uS。
*附件：用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 内存的 2 相 D-CAP+ ™ 降压控制器数据表.pdf

与 TI NexFET 功率级配合使用，该整体解决方案可提供 极高的速度和低开关损耗。TPS53626 还提供四个 使用单个外部配置 VCCIO 和 VMCP 设置的默认模式 resistor 来节省元件数量和电路板空间。

TPS53626 器件封装采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装 封装，工作温度范围为 –40°C 至 105°C。

特性

• 符合 Intel VR13 串行 VID （SVID） 标准
• 1 相或 2 相作
• VR13 VCCIO 和 VMCP 的默认配置模式
• 支持 Droop 和非 Droop 应用
• 步长为 5mV 的 8 位 DAC
• 输出范围：0.25 V 至 1.52 V
• 优化轻负载和重负载下的效率
• 8 个独立的过冲减少 （OSR） 和下冲减少 （USR） 级别
• 用于高效高频开关的无驱动器配置
• 支持分立、电源模块、功率级或 DrMOS MOSFET 实现
• 精确、可调的电压定位
• 300kHz 至 1MHz 频率选择
• 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
• 用于负载瞬态升压的可编程导通脉冲扩展
• 可编程自动 DCM 和 CCM作
• 可选 8 级电流限制
• 4.5V 至 28V 转换电压范围
• 小型 4 mm × 4 mm、32 引脚 VQFN PowerPad 封装

参数

方框图

1. 产品基本信息

• ‌型号‌：TPS53626
• ‌封装类型‌：VQFN RSM 32引脚
• ‌工作温度范围‌：-40°C至105°C
• ‌状态‌：活跃（推荐用于新设计）

2. 环保与合规性

• ‌RoHS合规‌：符合欧盟RoHS指令要求
• ‌无卤‌：满足JS709B低卤素要求
• ‌绿色产品‌：是

3. 封装与尺寸

• ‌封装尺寸‌：4x4mm，0.4mm引脚间距
• ‌热焊盘‌：有，需焊接到PCB上以实现最佳热性能和机械性能

4. 订购信息

• ‌样品可用性‌：是
• ‌包装数量‌：3000（RSMR版本），250（RSMT版本）

5. 特性概述

• ‌应用领域‌：适用于VR13 CPU VCORE和DDR内存的2相降压控制
• ‌关键特性‌：未具体说明，但通常包括高效率、低噪声、快速瞬态响应等

6. 设计资源与支持

• ‌技术支持‌：通过[e-mail]获取完整的数据表和其他设计支持工具
• ‌社区与文档‌：提供TI社区资源链接，用户可获取技术支持和经验交流