TPS51623 用于 VR12.1 VCPU 的 2 相 D-CAP+ ™ 降压控制器数据手册

TPS51623 器件是一款无驱动、完全符合 SVID 标准的 VR12.1 降压控制器。先进的控制功能，如具有重叠脉冲的 D-CAP+ 架构，支持下冲减少 （USR） 和过冲减少 （OSR），可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS51623 器件还支持在 CCM 或 DCM 模式下进行单相作，以实现轻负载效率。TPS51623 设备集成了完整的 VR12.1 I/O 功能，包括 VR_READY （PGOOD）、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许从 0 到 7 进行编程。当设备在 PS4 模式下运行时，控制器的静态功耗通常为 0.25 mW。V 的可调控制外转换速率和电压定位完善了 VR12.1 的功能。
*附件：TPS51623 Short 数据表.pdf

该解决方案与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用，可提供极高的速度和低开关损耗。TPS51623 器件可与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品配合使用，以实现最佳效率。TPS51623 器件以 1 V 的默认引导电压工作。应用可以通过在设计中包括一个外部电阻分压器来覆盖默认引导电压。

TPS51623器件封装是一种节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，工作温度范围为 –40°C 至 105°C。

特性

• 符合 VR12.1 串行 VID （SVID） 标准
• 1 相或 2 相作
• 仅支持零负载线路应用
• 8 位 DAC 输出范围：0.25 V 至 1.52 V
• 优化了轻负载和重负载下的效率
• 8 个独立的过冲减少 （OSR） 和下冲减少 （USR） 级别
• 无驱动器配置，实现高效的高频开关
• 支持分立、Power Block、Power Stage 或 DrMOS MOSFET 实现
• 准确、可调的电压定位
• 300 kHz 至 1 MHz 频率选择
• 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
• 可选 8 级电流限制
• 4.5V 至 28V 转换电压范围
• 小型 4 mm × 4 mm、32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌产品名称‌：TPS51623
• ‌类型‌：2相D-CAP+™降压控制器
• ‌应用‌：适用于VR12.1 V CPU的电源管理，包括适配器、电池、NVDC以及5-V或12-V电源轨。

2. 主要特性

• ‌SVID兼容性‌：完全符合VR12.1 SVID规范，支持从0到7的编程地址。
• ‌操作模式‌：支持1相或2相操作，同时支持CCM（连续导电模式）或DCM（不连续导电模式）下的单相操作，以提高轻载效率。
• ‌控制特性‌：
  • D-CAP+架构，支持重叠脉冲，具备8级独立的过冲减少（OSR）和下冲减少（USR）。
  • 可调输出电压斜率（VOUT slew rate）和电压定位。
  • 在PS4模式下，静态功耗低至0.25 mW。
• ‌封装‌：采用4 mm × 4 mm的32引脚VQFN封装，具备增强的热性能，工作温度范围为-40°C至105°C。

3. 集成功能

• 集成VR12.1 I/O功能，包括VR_READY (PGOOD)、ALERT和VR_HOT。
• 支持离散、Power Block、Power Stage或DrMOS MOSFET实现。

4. 性能优化

• ‌效率‌：通过优化的D-CAP+架构和高效的开关配置，实现轻载和重载下的高效率。
• ‌频率选择‌：提供300 kHz至1 MHz的频率选择，以适应不同的应用需求。
• ‌专利AutoBalance相位平衡‌：确保多相操作下的负载均衡和稳定性。

5. 订购信息

• ‌型号‌：TPS51623
• ‌封装类型‌：VQFN (32)
• ‌封装尺寸‌：4.00 mm × 4.00 mm
• ‌订购状态‌：ACTIVE（推荐用于新设计）

6. 文档与支持

• ‌数据表修订历史‌：初始发布于2022年6月。
• ‌支持资源‌：包括TI E2E™支持论坛、相关技术文档、工具和软件。
• ‌通知更新‌：用户可通过ti.com上的设备产品文件夹订阅更新通知，以获取每周的产品信息变更摘要。