TPS51604-Q1 驱动程序针对高频 CPU V 进行了优化核心应用。采用减少死区时间驱动和自动过零等高级功能 优化整个负载范围内的效率。
SKIP 引脚提供即时 CCM作以支持 输出电压的受控管理。此外,TPS51604-Q1 支持两个低功耗 模式。当 PWM 输入处于 3 态时,静态电流降低到 130 μA,立即 响应。当 SKIP 保持在 3 态时,电流降低至 8 μA (通常需要 20 μs 才能恢复切换)。与适当的 TI 控制器配对后, 驱动器提供超高性能的电源系统。
*附件:tps51604-q1.pdf
TPS51604-Q1 器件采用节省空间的热增强型 8 引脚 2mm x 封装 2mm WSON 封装,工作温度范围为 –40°C 至 125°C。
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C
- 设备 人体模型 ESD 分类等级 H2
- 器件 带电器件型号 ESD 分类等级 C3B
- 降低死区时间驱动电路,优化 CCM
- 自动过零检测,优化 DCM 效率
- 多种低功耗模式,优化轻负载效率
- 针对高频作优化的信号路径延迟
- 集成 BST 开关驱动强度,针对超极本 FET 进行了优化
- 针对 5V FET 驱动进行了优化
- 转换输入电压范围 (V
在 ):4.5 至 28 V - 2mm × 2mm、8 引脚 WSON Power-Pad 封装
参数

方框图

1. 产品概述
- 产品名称:TPS51604-Q1
- 类型:同步降压FET驱动器
- 应用:高频CPU核心电源,适用于汽车电子应用
2. 主要特性
- AEC-Q100认证:适用于汽车电子应用
- 温度等级:-40°C至125°C
- 驱动优化:具有优化的死区时间驱动和自动过零检测功能,以提高全负载范围内的效率
- 低功耗模式:支持两种低功耗模式,以降低轻载时的静态电流
- 封装:8引脚2mm x 2mm WSON封装,节省空间且热性能增强
3. 功能与特点
- 死区时间控制:采用抗直通和自适应死区时间控制,减少低侧体二极管导通时间和恢复损耗
- 过零检测:集成自适应过零检测功能,以改善轻载时的断续导通模式(DCM)效率
- 多模式支持:根据PWM和SKIP引脚的状态,支持连续导通模式(CCM)和断续导通模式(DCM)
- PWM和SKIP引脚:具有三态输入功能,当引脚处于三态时,驱动器进入低功耗状态
- UVLO保护:欠压锁定(UVLO)功能,确保在供电电压不稳定时保护驱动器
4. 引脚配置与功能
- BST:高侧N通道FET自举电压输入
- DRVH:高侧N通道栅极驱动输出
- DRVL:同步低侧N通道栅极驱动输出
- GND:低侧N通道栅极驱动返回和IC参考地
- PWM:PWM输入,三态电压时关闭高侧和低侧驱动器
- SKIP:控制DCM模式,三态时进入极低功耗状态
- SW:高侧N通道栅极驱动返回,同时也是过零检测输入
- VDD:5V电源输入,需通过至少1µF的陶瓷电容去耦至GND
5. 规格参数
- 输入电压范围:4.5V至28V
- 欠压锁定阈值:上升阈值4.15V,下降阈值3.7V
- 高侧/低侧栅极驱动特性:具有详细的上升时间、下降时间、传播延迟等规格
6. 应用与布局指南
- 应用:适用于汽车后座娱乐系统(RSE)平板电脑等高频CPU核心电源应用
- 布局指南:驱动器应尽可能靠近MOSFET放置,电源和自举电容应尽可能靠近驱动器,GND和SW节点应遵循特定的布局规则以减少噪声和提高可靠性