ADMV1530 5GHz至30GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册

概述
ADMV1530是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作5 GHz至30 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口具有0 GHz至10 GHz的宽带宽，可进行灵活的频率规划以免出现杂散产物。该混频器采用砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。

ADMV1530采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至IF抑制性能。该混频器采用19 dBm（典型值）的LO幅度运行。符合RoHS标准的ADMV1530无需线焊，可使用表贴制造技术。

ADMV1530采用紧凑型4 mm × 4 mm、18引脚基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。
数据表：*附件：ADMV1530 5GHz至30GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册.pdf

应用

• 微波和小型卫星地面站(VSAT)无线电
• 测试设备
• 军事电子战(EW)
• 电子对抗(ECM)
• 指挥、控制、通信和情报(C3I)

特性

• 转换损耗（下变频器）：7 dB（典型值，15 GHz至30 GHz时）
• 输入IP3（下变频器）：27 dBm（典型值，15 GHz至30 GHz时）
• 输入IP2（上变频器）：50 dBm（典型值，15 GHz至30 GHz时）
• 输入1 dB压缩点（下变频器）：17 dBm（典型值）
• LO至RF隔离：40 dB（典型值）
• LO至IF隔离：50 dB（典型值，15 GHz至30 GHz时）
• RF至IF隔离：25 dB（典型值，15 GHz至30 GHz时）
• 符合RoHS标准的18引脚、4 mm × 4 mm LGA封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息
图133显示了ADMV1530的典型应用电路。ADMV1530是一款无源器件，不需要任何外部元件。LO和RF引脚内部交流耦合。IF引脚内部DC耦合。对于不要求DC操作的应用，DC使用一个串联电容从外部阻塞该端口，该电容的值被选择为通过必要的IF频率范围。如果需要DC操作，请勿超过“绝对最大额定值”部分中规定的IF源电流和吸电流额定值。

应用中使用的电路板必须使用RF电路设计技术。信号线必须具有50欧姆阻抗，封装接地引脚和裸露焊盘必须直接连接到接地层，如图134所示。使用足够数量的过孔连接顶部和底部接地层。ADI公司可索取图134所示的评估电路板。